[发明专利]互补金属氧化物硅图像传感器的制造方法无效
申请号: | 200710151594.6 | 申请日: | 2007-09-28 |
公开(公告)号: | CN101154627A | 公开(公告)日: | 2008-04-02 |
发明(设计)人: | 朴庆敏 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L27/146 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;梁挥 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 互补 金属 氧化物 图像传感器 制造 方法 | ||
1.一种方法,包括:
形成包括光电二极管、金属线和用于使金属焊盘与所述金属线之间绝缘的层间绝缘膜的下结构;
在所述下结构上方形成钝化层;
选择性刻蚀所述钝化层和所述层间绝缘膜以形成滤色片区域和金属焊盘暴露区域;
同时刻蚀所述滤色片区域和所述金属焊盘暴露区域;以及
在所述层间绝缘膜上顺序形成多个滤色片和多个微小透镜。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,进一步包括:
在形成所述多个滤色片之后和形成所述多个微小透镜之前在多个滤色片上形成覆盖层。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,同时刻蚀所述滤色片区域和所述金属焊盘暴露区域的步骤包括:
完全刻蚀所述钝化层,以及
将所述金属焊盘上的部分所述层间绝缘膜刻蚀至在约100到300之间的厚度。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,进一步包括:
刻蚀所述金属焊盘上的所述层间绝缘膜部分直到暴露所述金属焊盘的至少部分上表面。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述钝化层包括氮化硅。
6.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,形成多个滤色片、覆盖层和多个微小透镜的步骤包括:
在滤色片区域之上形成平整层;
在所述平整层之上形成多个滤色片,所述多个滤色片包括红滤色片、绿滤色片和蓝滤色片;
在所述多个滤色片之上形成覆盖层,以及
在所述覆盖层之上形成多个微小透镜以使所述多个微小透镜对应于所述多个滤色片。
7.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述层间绝缘膜包括未掺杂的硅酸盐玻璃。
8.一种装置包括:
下结构,其包括光电二极管、金属线和用于使金属焊盘与所述金属线之间绝缘的层间绝缘膜,其中所述金属焊盘的至少部分上表面露出;
在所述下结构之上形成的钝化层;
滤色片区域;
在所述滤色片区域中形成的多个滤色片;以及
在所述多个滤色片之上形成并对应于所述多个滤色片的多个微小透镜。
9.根据权利要求8所述的装置,其特征在于,进一步包括形成在所述多个滤色片和所述多个微小透镜之间的覆盖层。
10.根据权利要求8所述的装置,其特征在于,进一步包括在所述多个滤色片和所述层间绝缘层之间的滤色片区域形成的平整层。
11.根据权利要求8所述的装置,其特征在于,所述钝化层包括氮化硅。
12.根据权利要求8所述的装置,其特征在于,所述层间绝缘膜包括未掺杂的硅酸盐玻璃。
13.一种方法,包括:形成包括:
形成包括光电二极管、金属线、层间绝缘膜和金属焊盘的下结构;
在所述下结构上方形成钝化层;
刻蚀所述层间绝缘膜和所述钝化层以形成滤色片区域和金属焊盘暴露区域;
同时刻蚀所述滤色片区域和所述金属焊盘暴露区域;以及
在所述滤色片区域中形成多个滤色片;
在所述多个滤色片之上形成覆盖层;
在所述覆盖层之上形成多个微小透镜;
通过刻蚀所述层间绝缘膜的金属焊盘暴露区域而暴露所述金属焊盘的至少部分上表面。
14.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,将所述层间绝缘膜的金属焊盘暴露区域刻蚀至约100到300之间的厚度。
15.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,所述层间绝缘膜包括未掺杂的硅酸盐玻璃。
16.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,所述钝化层包括氮化硅。
17.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,所述多个滤色片包括红滤色片、绿滤色片和蓝滤色片。
18.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,相邻滤色片彼此部分层叠。
19.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,所述滤色片的每个具有与其他滤色片不同的高度。
20.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,进一步包括在所述多个滤色片和所述层间绝缘层之间的滤色片区域上形成平整层。
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