[发明专利]电能储存装置及方法无效
| 申请号： | 200710151597.X | 申请日： | 2007-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101227103A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 赖锜;汤姆·艾伦·阿甘 | 申请（专利权）人： | 北极光股份有限公司 |
| 主分类号： | H02J15/00 | 分类号： | H02J15/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁挥;张燕华 |
| 地址： | 美国明尼苏达州*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电能 储存 装置 方法 | ||
1.一种电能储存装置，其特征在于，包含：
一第一磁性区；
一第二磁性区；以及
一介电区配置于该第一磁性区及该第二磁性区之间，
其中该介电区被用以储存电能，以及具有数个双极的该第一磁性区及该第二磁性区被用以防止电能泄漏。
2.根据权利要求1所述的电能储存装置，其特征在于，该介电区为一薄膜。
3.根据权利要求1所述的电能储存装置，其特征在于，该介电区为介电材料所构成。
4.根据权利要求1所述的电能储存装置，其特征在于，该第一磁性区为一薄膜。
5.根据权利要求1所述的电能储存装置，其特征在于，该第二磁性区为一薄膜。
6.根据权利要求1所述的电能储存装置，其特征在于，更包含一第一金属组件配置于该第一磁性区周围，用以控制该第一磁性区的双极。
7.根据权利要求1所述的电能储存装置，其特征在于，更包含一第二金属组件配置于该第二磁性区周围，用以控制该第二磁性区的双极。
8.根据权利要求1所述的电能储存装置，其特征在于，当该电能储存装置储存着电能时，该第一磁性区及该第二磁性区的双极相同。
9.根据权利要求1所述的电能储存装置，其特征在于，当该电能储存装置于充电时，该第一磁性区及第二磁性区与一电源耦接。
10.根据权利要求1所述的电能储存装置，其特征在于，当该电能储存装置于放电时，该第一磁性区及第二磁性区与一负载组件耦接。
11.一种电能储存装置，其特征在于，包含：
数个磁性区；以及
数个介电区分别配置于两相邻的该些磁性区之间，
其中该些介电区被用以储存电能，以及具有数个双极的该些磁性区被用以防止电能泄漏。
12.根据权利要求11所述的电能储存装置，其特征在于，该些介电区为数个薄膜。
13.根据权利要求11所述的电能储存装置，其特征在于，该些介电区为介电材料所构成。
14.根据权利要求11所述的电能储存装置，其特征在于，该些磁性区为数个薄膜。
15.根据权利要求11所述的电能储存装置，更特征在于，含数个金属组件分别配置于该些磁性区周围，用以分别控制每一该些磁性区的双极。
16.根据权利要求11所述的电能储存装置，其特征在于，当该电能储存装置储存着电能时，该些磁性区的双极相同。
17.根据权利要求11所述的电能储存装置，其特征在于，当该电能储存装置于充电时，部分的该些磁性区与一电源耦接。
18.根据权利要求11所述的电能储存装置，其特征在于，当该电能储存装置于放电时，部分的该些磁性区与一负载组件耦接。
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