[发明专利]Y波导集成光学器件铌酸锂芯片的制备方法

权利要求书

1.Y波导集成光学器件铌酸锂芯片的制备方法，主要包括在衬底片上制备SiO₂波导掩模、质子交换、退火、电极剥离、电极电镀、芯片切割和端面磨抛步骤，其特征在于：采用纯苯甲酸作为质子源，所述的质子交换包括以下步骤：

(1)将纯苯甲酸放入交换杯中；

(2)将铌酸锂晶片放在交换夹具上，放入交换杯中，使铌酸锂晶片不与苯甲酸接触，悬在交换杯中，并连同交换杯一起放入交换炉的恒温区中；

(3)开启放置交换杯的质子交换炉，将温度升高并稳定在150℃～170℃之间，然后将铌酸锂晶片浸入苯甲酸熔液中；

(4)170-210分钟时，取出铌酸锂晶片，待其自然冷却。

2.根据权利要求1的Y波导集成光学器件铌酸锂芯片的制备方法，其特征在于：所述的铌酸锂芯片为X-切铌酸锂晶片。

3.根据权利要求1或2的Y波导集成光学器件铌酸锂芯片的制备方法，其特征在于：在质子交换后，先腐蚀掉SiO₂波导掩模，对铌酸锂晶片进行清洗，在铌酸锂晶片上重新生长一层SiO₂隔离层，再进行退火。

4.根据权利要求3的Y波导集成光学器件铌酸锂芯片的制备方法，其特征在于：所述的退火步骤中退火温度为360±5℃，退火时间3.5-4.5小时。

5.根据权利要求1的Y波导集成光学器件铌酸锂芯片的制备方法，其特征在于：所述质子交换步骤中的质子交换温度为160℃。

6.根据权利要求1的Y波导集成光学器件铌酸锂芯片的制备方法，其特征在于：所述质子交换步骤中的质子交换时间为200分钟。

7.根据权利要求4的Y波导集成光学器件铌酸锂芯片的制备方法，其特征在于：所述的退火步骤中退火温度为360℃，退火时间4小时。