[发明专利]风扇驱动系统无效
申请号: | 200710152351.4 | 申请日: | 2007-09-27 |
公开(公告)号: | CN101399512A | 公开(公告)日: | 2009-04-01 |
发明(设计)人: | 林凯评;林崇仁 | 申请(专利权)人: | 天钰科技股份有限公司 |
主分类号: | H02P6/08 | 分类号: | H02P6/08;H02P6/16 |
代理公司: | 北京申翔知识产权代理有限公司 | 代理人: | 周春发 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 风扇 驱动 系统 | ||
技术领域
本发明涉及一种风扇驱动系统。
背景技术
请参阅图1,一种现有的风扇驱动系统10,其包括一个风扇驱动器11及一个场效应晶体管(MOSFET)组12。所述MOSFET组12包括四个MOSFET,其分别是第一场效应晶体管(MOSFET1)、第二场效应晶体管(MOSFET2)、第三场效应晶体管(MOSFET3)、第四场效应晶体管(MOSFET4)。所述风扇驱动器11用以接收风扇上的霍尔感测器(图未示)所感测到的一组霍尔感测信号N+与N-,并分别向MOSFET1、MOSFET2、MOSFET3、MOSFET4的栅极(Gate)G1、G2、G3、G4输出一驱动信号VG1、VG2、VG3、VG4,从而使得该MOSFET组中的一对,例如:MOSFET1与MOSFET4、MOSFET2与MOSFET3,在同一时间导通。
若使MOSFET组中的MOSFET1与MOSFET4导通后,由风扇驱动器11、MOSFET1、MOSFET4及风扇101所形成的电气回路中的驱动电流If穿过风扇101(如图2A所示),接着使MOSFET组中的MOSFET2与MOSFET3导通,由风扇驱动器11、MOSFET2、MOSFET3及风扇101所形成的电气回路中的与驱动电流If方向相反的驱动电流Ib穿过风扇101(如图2B所示),进而交替的使驱动电流If和驱动电流Ib穿过风扇101以驱动风扇101旋转。
风扇101的转速是由驱动电流If、Ib的大小来决定的,即驱动电流越大,则风扇的转速越快,但二者的关系通常是非线性的。所以,为了控制风扇101的转速,则需要适当的调节驱动电流If、Ib的大小,其中以PWM(Pulse Width Modulation,脉宽调制)的驱动方式来调节驱动电流的大小较为常见,在此方式中,所述风扇驱动器11只要控制PWM波的脉冲宽度即可控制风扇的转速。
在风扇101的转动过程中常常会产生噪音,所述驱动电流If和Ib之间的切换频率是产生噪音的原因之一,通常需要使驱动电流If和Ib之间的切换频率大于25KHz以减小或消除噪音。
然而,所述风扇驱动系统10所产生的驱动电流If、Ib在切换瞬间,会因为MOSFET组中的MOSFET1、MOSFET2、MOSFET3、MOSFET4都处于关闭状态,而无法将储存在风扇线圈中的既有电流导出,从而导致在切换驱动电流If、Ib的瞬间,风扇线圈的尖峰电压非常高致使所述风扇驱动系统10失效。
发明内容
下面将以实施例说明一种可以在场效应晶体管组中的第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第三场效应晶体管、第四场效应晶体管都关闭时将风扇线圈中的既有电流导出的风扇驱动系统。
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