[发明专利]光耦合型半导体器件及其制造方法和电子器件无效
| 申请号： | 200710152483.7 | 申请日： | 2007-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN101165926A | 公开（公告）日： | 2008-04-23 |
| 发明（设计）人： | 佐田尚记 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/12 | 分类号： | H01L31/12;H01L25/16;H01L23/495;H01L23/367;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 葛青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 耦合 半导体器件 及其 制造 方法 电子器件 | ||
1.一种光耦合型半导体器件，包括在其上已经分别分离地安装光发射元件和光接收元件的引线框架和密封所述光发射元件和光接收元件的树脂密封件，
其中多个凸起部分形成在所述引线框架上。
2.根据权利要求1的光耦合型半导体器件，其中所述凸起部分形成在从所述树脂密封件的侧面引出的所述引线框架的引出部分上。
3.根据权利要求1的光耦合型半导体器件，其中所述凸起部分可形成在相对安装面的面上，在所述安装面上已经安装了已被所述树脂密封件密封的所述引线框架的头部部分的所述光发射元件或光接收元件。
4.根据权利要求3的光耦合型半导体器件，其中树所述脂密封件包括覆盖所述光发射元件和光接收元件的第一树脂密封件和覆盖第一树脂密封件的外围的第二树脂密封件，和
其中所述凸起部分的底面与第一树脂密封件的所述外围面接触。
5.根据权利要求3的光耦合型半导体器件，其中树脂密封件包括覆盖所述光发射元件和光接收元件的第一树脂密封件和覆盖第一树脂密封件的外围的第二树脂密封件，和
其中所述头部部分的所述安装面与第一树脂密封件的所述外围面接触。
6.根据权利要求4或5的光耦合型半导体器件，其中所述凸起部分的顶面与第二树脂密封件的所述外围面接触。
7.根据权利要求4或5的光耦合型半导体器件，其中所述凸起部分的顶面从第二树脂密封件的所述外围面突出。
8.一种光耦合型半导体器件的生产方法，包括分别安装光发射元件和光接收元件到分离的引线框架上的步骤和用树脂密封所述光发射元件和光接收元件的步骤，
所述光耦合型半导体器件的生产方法包括在所述引线框架上形成多个凸起部分的步骤。
9.一种电子器件，在其上已经安装了根据权利要求1至7中任意之一的光耦合型半导体器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
