[发明专利]层合陶瓷电容器及其制造方法无效
申请号: | 200710152663.5 | 申请日: | 2007-09-19 |
公开(公告)号: | CN101150011A | 公开(公告)日: | 2008-03-26 |
发明(设计)人: | 谷口克哉;水野洋一 | 申请(专利权)人: | 太阳诱电株式会社 |
主分类号: | H01G4/12 | 分类号: | H01G4/12;H01G4/30 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 杨宏军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷 电容器 及其 制造 方法 | ||
1.一种层合陶瓷电容器,具有:大致长方体形状的陶瓷层合体,在该陶瓷层合体中间隔电介质陶瓷相对向且交替引出到不同的端面上而形成的内部电极,和形成在所述陶瓷层合体的两端面上、且与引出到该端面上的所述内部电极分别电连接的外部电极,其特征在于,
所述电介质陶瓷由以钙钛矿类电介质为原料的晶粒构成,所述晶粒的粒径平均值处于40~150nm的范围内,
设所述晶粒的粒径平均值为D、作为所述电介质陶瓷的原料的钙钛矿类电介质原料粉末的粒径平均值为d时,在1.2≤D/d≤1.5的范围内调整粒子生长。
2.根据权利要求1所述的层合陶瓷电容器,其特征在于,作为所述电介质陶瓷的原料的钙钛矿类电介质原料粉末的粒径平均值为30~100nm。
3.根据权利要求1所述的层合陶瓷电容器,其特征在于,所述电介质陶瓷由钙钛矿类电介质和副成分形成。
4.根据权利要求3所述的层合陶瓷电容器,其特征在于,所述副成分含有稀土类即La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Y的化合物、Si化合物、碱土类金属化合物或过渡金属化合物。
5.一种层合陶瓷电容器的制造方法,其中所述层合陶瓷电容器具有由钙钛矿类电介质原料粉末、作为副成分的添加物形成的电介质陶瓷,其特征在于,
作为所述钙钛矿类电介质原料粉末,使用粒径平均值为30~100nm的原料粉末,形成具有粒子生长至所述原料粉末的粒径平均值的1.2~1.5倍的晶粒的电介质陶瓷。
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