[发明专利]强电介质存储装置及其控制方法

权利要求书

1.一种强电介质存储装置，用强电介质存储元件来记忆数据，其特征在于，包括：

温度传感器，检测该强电介质存储装置的温度；

控制单元，输出控制信号，该控制信号指定电压，该电压随着由所述温度传感器检测的温度的降低而增加；以及

电压发生单元，发生由来自所述控制单元的控制信号指定的电压，并向所述强电介质存储元件提供发生后的电压。

2.如权利要求1所述的强电介质存储装置，其特征在于，

所述强电介质存储元件包括强电介质电容器和晶体管，

所述电压发生单元，将所述发生的电压作为用于数据的写入及读出的工作电压，通过所述晶体管向所述强电介质电容器施加该工作电压，同时，发生用于控制所述晶体管的控制电压，并向所述晶体管提供该控制电压。

3.如权利要求1或权利要求2所述的强电介质存储装置，其特征在于，

所述控制单元，控制所述电压发生单元，以使所述电压发生单元发生电压，该电压按照由所述温度传感器检测的温度变化发生阶段状变化。

4.如权利要求1至权利要求3中的任一项所述的强电介质存储装置，其特征在于，

所述控制单元，只在所述温度传感器检测出超过工作保证温度范围的温度的情况下，通过控制所述电压发生单元，使发生的电压变化，所述工作保证温度范围是在所述强电介质存储元件用固定的电压来进行数据的写入及读出时的工作保证温度范围。

5.如权利要求1所述的强电介质存储装置，其特征在于，还包括，

再写入控制单元，在所述强电介质存储元件未进行按照来自所述强电介质存储装置外部的指令的数据的写入及读出的期间内，进行再写入控制，即，从所述强电介质存储元件读出数据后，将该读出的数据再写入到所述强电介质存储元件。

6.如权利要求5所述的强电介质存储装置，其特征在于，

所述再写入控制单元，记忆阈值及电压值，该阈值与由所述温度传感器检测的温度有关，该电压值与由所述温度传感器检测的多个温度分别相对应，所述再写入控制单元，在由所述温度传感器检测的温度的变化超过所述记忆的阈值的条件下，向所述电压发生单元指定被记忆的、与所述变化后的温度相对应的电压值，

所述电压发生单元，将按照来自所述再写入控制单元的指定而发生的电压作为工作电压，并向所述强电介质存储元件提供该工作电压，该工作电压用于进行数据的再写入。

7.如权利要求5所述的强电介质存储装置，其特征在于，还包括，

结露传感器，检测在该强电介质存储装置内发生的结露，

所述再写入控制单元，在所述结露传感器检测出结露的条件下进行所述再写入控制。

8.如权利要求5所述的强电介质存储装置，其特征在于，

在所述强电介质存储装置设有多个强电介质存储元件，所述强电介质存储装置还包括：

记忆单元，在至少一个所述强电介质存储元件执行数据的写入及读出时记忆温度及地址，该温度是由所述温度传感器检测出的温度，该地址确定执行了所述数据的写入及读出的强电介质存储元件；以及

比较判断单元，对由所述温度传感器检测的新的温度与所述记忆单元记忆的温度进行比较，并判断两个温度之间的差距是否超过规定值，

所述再写入控制单元，在所述比较判断单元判断为超过所述规定值的情况下，对存储在强电介质存储元件的数据进行再写入控制，该强电介质存储元件是通过所述记忆单元所记忆的地址被确定的。

9.如权利要求1所述的强电介质存储装置，其特征在于，

在所述强电介质存储装置设有多个强电介质存储元件，所述强电介质存储装置还包括：

时间测量单元；

积和运算单元，求出由所述时间测量单元测量出的时间和由所述温度传感器检测出的温度的积和量；以及

迁移单元，在所述积和运算单元求出超过规定值的积和量的条件下，至少从一个所述强电介质存储元件读出数据，将读出后的数据写入到未使用的其它强电介质存储元件。

10.如权利要求9所述的强电介质存储装置，其特征在于，还包括，

极化消除单元，在所述迁移单元执行了所述数据的写入及读出后，对读出了所述数据的强电介质存储元件进行极化消除。