[发明专利]运算放大器及驱动液晶显示器的方法无效
申请号: | 200710152785.4 | 申请日: | 2007-09-21 |
公开(公告)号: | CN101154928A | 公开(公告)日: | 2008-04-02 |
发明(设计)人: | 西村浩一;铃木和男 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45;G09G3/36;G09G3/20;G02F1/133 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 关兆辉;陆锦华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 运算放大器 驱动 液晶显示器 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种运算放大器及使用该运算放大器来驱动液晶显示器的方法。
背景技术
最近,液晶显示器已被普遍地用于显示图像的装置。因此,已提出了用于驱动液晶显示器的各种驱动方法和驱动电路。运算放大器广泛地被称为是用于液晶显示器的驱动电路的放大器。在日本专利申请特开号6-326529中公开了这种运算放大器的一个例子。图5示出了日本专利申请特开号6-326529中公开的运算放大器。如图5所示,该运算放大器包括差分输入级51、中间级52和输出级53。
日本专利申请特开号6-326529中描述的输入级51包括由NMOS晶体管MN51、MN52构成的差分对和由PMOS晶体管MP51、MP52构成的差分对。对于每个差分对,施加相同的信号。在输入级51中,在其中PMOS晶体管的差分对不工作的范围中,NMOS晶体管的差分对工作。相反地,在其中NMOS晶体管的差分对不工作的范围中,PMOS晶体管的差分对工作。根据这种结构,可以提供在整个供电电压范围中都工作的输入级51。
根据日本专利申请特开号6-326529中公开的技术,通过以电流的形式在中间级52中对输入级51的每个差分对的输出求和,从输出级53提供作为运算放大器的输出。
另一方面,运算放大器具有产生运算放大器的固有偏移的问题。随后,众所周知,当驱动液晶显示器时,使用如日本专利申请特开号11-249623所示的运算放大器来解决该偏移的问题。图6A、6B示出了日本专利申请特开号11-249623中描述的技术。当液晶显示器被运算放大器驱动时,它通常通过相对于预定电压(公共电压)使极性反相为正或负来驱动。然后,根据日本专利申请特开号11-249623中描述的技术,对于每一帧,开关被改变以进行显示,如图2A,2B所示。在改变反相输入端、非反相输入端和输出端的同时,通过驱动液晶显示器来分散在图6A的状态中产生的偏移电压+Vos和图6B的状态中产生的偏移电压-Vos。根据这种驱动方法,可以在视觉上识别显示图像,就好像不存在偏移一样。
发明内容
但是,在日本专利申请特开号6-326529中公开的电路中,通过仅仅改变日本专利申请特开号11-249623中所示的输入端和输出端,不能够消除偏移电压。为了解决日本专利申请特开号6-326529所所示的在整个供电电压范围中工作的电路中引起的偏移电压的问题,需要一种复杂的电路结构,这是造成诸如电路面积增加的问题的因素。
根据本发明的一个方面的运算放大器包括:具有第一导电类型的第一晶体管和第二晶体管的第一差分对;具有第二导电类型的第三晶体管和第四晶体管的第二差分对;第一浮置电流源;第二浮置电流源;以及具有第五晶体管和第六晶体管的输出级,其中,当输入信号施加到第一和第三晶体管时,通过第一浮置电流源设置流入第五晶体管和第六晶体管的电流,以及当输入信号施加到第二和第四晶体管时,通过第二浮置电流源设置流入第五晶体管和第六晶体管的电流。
根据本发明的运算放大器,当液晶显示器等被驱动时,可以消除视觉上的偏移,以进行驱动。
附图说明
图1是说明根据本发明第一实施例的运算放大器的电路图;
图2是说明根据本发明第二实施例的运算放大器的电路图;
图3是说明根据本发明第三实施例的运算放大器的电路图;
图4A至4H是说明根据本发明的本实施例的开关图;
图5是说明常规运算放大器的电路图;
图6A至6B是说明常规运算放大器的电路图;以及
图7是说明本发明的运算放大器的输入级的变化图。
具体实施方式
现在,将参考附图描述本发明的第一实施例。图1是说明根据本发明第一实施例的运算放大器的电路图。本实施例的运算放大器包括输入级11、中间级12和输出级13。
输入级11包括由N沟道晶体管构成的N沟道差分对INN1、由P沟道晶体管构成的P沟道差分对INP1以及恒流源111、112。该N沟道差分对INN1包括N沟道MOS晶体管MM11和MN12。该P沟道差分对INP1包括P沟道MOS晶体管MP11和MP12。
该中间级12包括P沟道MOS晶体管MP13至MP16,以及N沟道MOS晶体管MN13至MN16。本实施例的中间级12包括P沟道MOS晶体管MP17、MP19和N沟道MOS晶体管MN17、MN19,用于与输出级13的电流决定相关联。
输出级13包括N沟道MOS晶体管MN18和P沟道MOS晶体管MP18,用于构成输出缓冲放大器。
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