[发明专利]功率半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，当在第一端和第二端之间加电压时，通过形成延伸穿过一部分半导体芯片的空间电荷区，在所说的第一端和第二端之间阻止电流流动：

其中，所说的半导体芯片的衬底主面位于(110)面上，所说的半导体芯片的四个侧边缘中一对相对的侧边缘位于垂直于(110)面的{111}面上，在所说的半导体芯片中形成有电压保持区，包括电连接到所说第二端的第一导电类型的第一区和电连接到所说第一端的第二导电类型的第二区，所说的第一区和第二区交替且相邻地排列；

其中，所说的第一导电类型的第一区和所说的第二导电类型的第二区之间的边界具有沿[110]轴方向延伸的形状；和

其中，当在所说的第一端和所说的第二端之间的电流流动受阻时，在包括所说的第一导电类型的第一区和所说的第二导电类型的第二区的所说的电压保持区中，形成交替排列的正负空间电荷区。

2.一种半导体器件，当在第一端和第二端之间加电压时，通过形成延伸穿过一部分半导体芯片的空间电荷区，在所说的第一端和第二端之间阻止电流流动：

其中，所说的半导体芯片的衬底主面位于(110)面上，在所说的半导体芯片中形成有电压保持区，包括电连接到所说第二端的第一导电类型的第一区和电连接到所说第一端的第二导电类型的第二区，所说的第一区和第二区交替且相邻地排列；

其中，所说的第一导电类型的第一区和所说的第二导电类型的第二区之间的边界具有沿[110]轴方向延伸的形状，主接触面{111}面垂直于(110)面；和

其中，当在所说的第一端和所说的第二端之间的电流流动受阻时，在包括所说的第一导电类型的第一区和所说的第二导电类型的第二区的所说的电压保持区中，形成交替排列的正负空间电荷区。

3.一种半导体器件，当在第一端和第二端之间加电压时，通过形成延伸穿过一部分半导体芯片的空间电荷区，在所说的第一端和第二端之间阻止电流流动：

其中，在所说的半导体芯片中形成电压保持区，包括电连接到所说第二端的第一导电类型的第一区和电连接到所说第一端的第二导电类型的第二区，所说的第一区和第二区交替且相邻地排列；

其中，在所说的电压保持区的外部形成第一导电类型的第三区，所说的第一导电类型的第三区具有的平均杂质浓度比所说的第一导电类型的第一区平均净杂质浓度低20％以上；

其中，在所说的第一导电类型的第三区中形成至少一个第二导电类型的第四区，并包括有在所说的第一端和所说的第二端之间加反向偏置电压的情况下通过为从所说的第二导电类型的第二区延伸到达所说的第二导电类型的第四区的空间电荷区减小在所说的电压保持区外部的电场集中而提供高耐压的装置；和

其中，当在所说的第一端和所说的第二端之间的电流流动受阻时，在包括所说的第一导电类型的第一区和所说的第二导电类型的第二区的所说的电压保持区中，形成交替排列的正负空间电荷区。

4.一种半导体器件，当在第一端和第二端之间加电压时，通过形成延伸穿过一部分半导体芯片的空间电荷区，在所说的第一端和第二端之间阻止电流流动：

其中，在所说的半导体芯片中形成电压保持区，包括电连接到所说第二端的第一导电类型的第一区和电连接到所说第一端的第二导电类型的第二区，所说的第一区和第二区交替且相邻地排列；

其中，在由所说的第二导电类型的第二区夹持的第一导电类型的第一区中形成主部分，使得当它们从所说第二导电类型的第二区倒退后，杂质浓度变低；和

其中，当在所说的第一端和所说的第二端之间的电流流动受阻时，在包括所说的第一导电类型的第一区和所说的第二导电类型的第二区的所说的电压保持区中，形成交替排列的正负空间电荷区。