[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，利用金属细丝，电连接形成在半导体芯片的一个主面上的多个电极与配置在所述半导体芯片的周围的多个导体部的内部端子，所述半导体芯片及金属细丝被树脂封装，其特征在于，

在将所述半导体芯片的电极与所述导体部的内部端子连接、并且互相上下配置的多个金属细丝中，最下面的金属细丝的刚性最小。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

半导体芯片具有：配置在一个主面的外周部呈排列状的第1电极、以及配置在比所述第1电极靠近所述一个主面的中心呈排列状的至少一排的第2电极，

所述半导体芯片的第1电极与导体部的内部端子，利用第1金属细丝连接，

所述半导体芯片的第2电极与所述导体部的内部端子，利用刚性大于所述第1金属细丝的第2金属细丝连接。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

将多个半导体芯片层叠，

最下层的半导体芯片的电极与导体部的内部端子，利用第1金属细丝连接，

第2层以上的上层的半导体芯片的电极与所述导体部的内部端子，利用刚性大于所述第1金属细丝的第2金属细丝连接。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

将多个半导体芯片层叠，

最下层的半导体芯片的电极与导体部的内部端子，利用第1金属细丝连接，

第2层以上的上层的半导体芯片的电极与所述导体部的内部端子、以及多个半导体芯片的电极的一部分彼此之间，利用刚性大于所述第1金属细丝的第2金属细丝连接。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

最下面位置的金属细丝与其它的金属细丝的刚性的不同，是基于各金属材料的组成来实现的。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，

最下面位置的金属细丝以金为主要成分，其它的金属细丝以铜为主要成分。

7.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，

最下面位置的金属细丝及其它金属细丝以金为主要成分，而所述最下面位置的金属细丝的含金率大于其它金属细丝的含金率。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

最下面位置的金属细丝的最上部的位置，低于其它的金属细丝的最上部的位置。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

在用最下面位置的金属细丝连接的半导体芯片的电极的下方，形成电路元件。

10.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

多个导体部形成在装载有半导体芯片的支持体上。

11.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

多个导体部排列在装载有半导体芯片的支持体的周围。

12.一种半导体器件的制造方法，具有以下工序：

将在一个主面上形成多个电极的半导体芯片安装在支持体上的第1工序；

将安装在所述支持体上的半导体芯片的多个电极与配置在该半导体芯片的周围的多个导体部的内部端子，利用金属细丝连接的第2工序；以及

将所述半导体芯片与所述金属细丝进行树脂封装的第3工序，其特征在于，

在所述第2工序中，在互相上下配置的多个金属细丝内，配置在最下面位置的金属细丝使用刚性最小的金属细丝进行连接，然后使用刚性更大的金属细丝进行连接。

13.如权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，进行以下工序：

将具有配置在一个主面的外周部呈排列状的第1电极、以及配置在比所述第1电极靠近所述一个主面的中心呈排列状的至少一排的第2电极的半导体芯片安装在支持体上的第1工序；

将所述半导体芯片的第1电极与该半导体芯片的周围的多个导体部的内部端子利用第1金属细丝连接，然后将所述半导体芯片的第2电极与多个导体部的内部端子利用刚性大于所述第1金属细丝的第2金属细丝连接的第2工序；以及

将所述半导体芯片与所述第1及第2金属细丝进行树脂封装的第3工序。