[发明专利]带检测放大器的存储装置

说明书

相关申请案

本申请案与第60/846,560号美国临时专利申请案相关并主张基于该美国临时专利申请案的优先权，该美国临时专利申请案是于2006年9月21日提出申请，且其全文以引用方式并入本文中。

技术领域

本申请总的涉及与存储装置相关联的检测放大器。

背景技术

检测放大器已广泛应用于各种存储阵列中。例如，存储阵列中的每一存储单元可具有一用于指示该单元的状态的输出。以随机访问存储器为例，每一存储单元可将其输出连接至如下两条位线之一：BL(位线)或BLB(互补位线)。在进行存储器读取作业之前，可将这两条位线预充电至一参考电压，其通常介于高电压(例如VDD)与地电压之间。在读取作业期间，将一位线或互补位线连接至一存储单元，存储于存储单元中的电荷可改变位线的电压电平。在读取作业之后，位线与互补位线可具有两种不同的电压电平。

检测放大器可用于读取一读取作业的结果。例如，可将一检测放大器连接至所述两条位线，以检测其电压差并放大该电压差以读出单元状态，例如逻辑0或逻辑1。例如，一检测放大器可具有一对对称的反相器，该对反相器具有两个交叉耦接的完全相同的反相器。换句话说，检测放大器中的各反相器具有相同的特性且既用于BL检测也用于BLB检测。对于此种检测放大器设计，参考电压通常设定为VDD/2。

图1(a)图解说明一现有技术存储装置及相伴的检测电路的实例。参见图1(a)，该存储装置具有两个存储单元110及115、预充电电路140、及检测放大器150。可通过有选择地启用字线(WL)120而对存储单元110进行写入并可通过位线(BL)130对其进行读取。类似地，可通过有选择地启用字线(WL)125而对存储单元115进行写入并可通过互补位线(BLB)135对其进行读取。

在一读取作业中，一预充电电路140将通过其控制信号PRCH145而得到启用，从而使预充电电路140可将BL130与BLB135二者预充电至一参考电压VPR，如在图1(b)中所示。电压VPR为VDD/2，即VDD(其可为由存储装置的共用电源端子所提供的正电压电平)的一半。在预充电过程176之后，可对字线120施加一电压(例如VDD)，以读取对应的存储单元。在读取存储单元110过程中，其可存储一代表逻辑“1”或逻辑“0”的电荷电平，此可分别对应于一等于或接近于VDD的电压电平或者地电压电平。视所存储的电荷而定，位线130一旦耦接至存储单元110，便可在图1(b)所示的电荷分享过程177期间从其初始预充电状态VDD/2充电至一升高的电压或者放电至一变低的电压。

在读取操作之后，通过一启用线SNR 175得到启用的检测放大器150将放大来自所述两条位线BL 130及BLB 135的信号。因此，如在图1(b)中所示开始检测过程178。如在图1(c)及图1(d)中所示，图解说明一检测放大器的实例。检测放大器150可包含两个相同类型及特性的反相器，此可提供一对称配置。相应地，图1(c)及图1(d)中所示的反相器180的跳变点188与反相器182的跳变点190相同，如在图1(e)中所示。

发明内容

在本发明的各实施例中，一种存储装置包含呈不对称配置的至少一个检测放大器。

在一实施例中，一种存储装置包含一第一存储单元及一第二存储单元，其中该第一存储单元包含一耦接至一位线的第一晶体管，而该第二存储单元包含一耦接至一互补位线的第二晶体管。该第一晶体管与该第二晶体管的栅极端子可分别耦接至并受控于一第一字线与一第二字线。一第一检测放大器可耦接至该位线及该互补位线，并具有一不对称配置。检测放大器302可加以配置，以检测该位线与该互补位线其中之一的状态。

附图说明

本文在附图的图式中所示的实施例只是对本发明进行举例说明，而非加以限定。

图1(a)图解说明现有技术中一存储装置及一相伴的检测电路的一实例；

图1(b)为一实例性波形，用于图解说明现有技术中一存储装置的运行；

图1(c)及1(d)图解说明现有技术中一检测放大器的一实例；

图1(e)图解说明现有技术中两个具有相似配置的反相器的特性；

图2图解说明根据本发明一实施例的存储阵列装置的一方块图；

图3图解说明根据本发明一实施例的一实例性存储装置；

图4(a)图解说明根据本发明一实施例的一种检测放大器配置的一方块图；

图4(b)图解说明根据本发明一实施例的检测放大器中两个反相器的转移特性的一实例；