[发明专利]用于光电子学的半导体芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种发射辐射的半导体芯片，其具有薄膜层，

其中，在该薄膜层中形成一个发射光子的有源区，所述薄膜层在背对半导体芯片的发射方向的一侧上设有至少一个孔洞，通过所述孔洞形成了多个台面，和

所述薄膜层设有外延式层序列，并且不设生长衬底。

2.如权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述半导体芯片设有用于薄膜层的载体衬底，所述载体衬底布置在所述薄膜层的背离发射方向的一侧上并与这一侧相连。

3.如权利要求1或2所述的半导体芯片，其特征在于，孔洞(8)的横截面随着离开载体衬底(1)而变小。

4.如权利要求1或2所述的半导体芯片，其特征在于，该有源薄膜层具有一个基于In_1-x-yAl_xGa_yP的层序列，其中0≤x≤1，0≤y≤1且x+y≤1。

5.如权利要求1或2所述的半导体芯片，其特征在于，孔洞(8)的深度形成为使得有源区(3)被孔洞分断开。

6.如权利要求1或2所述的半导体芯片，其特征在于，孔洞(8)的深度形成为使得有源区(3)不被孔洞分断开。

7.如权利要求1或2所述的半导体芯片，其特征在于，所述台面(4)通过只在构成薄膜层(2)的辐射产生区域内形成的多个孔洞(8)来形成。

8.如权利要求1或2所述的半导体芯片，其特征在于，由有源区(3)发出的光子的至少一条轨迹(18)从各个台面(4)通向相邻的台面(4)中之一。

9.如权利要求2所述的半导体芯片，其特征在于，台面(4)向着载体衬底逐渐缩小。

10.如权利要求9所述的半导体芯片，其特征在于，台面(4)具有凹侧面(13)。

11.如权利要求1或2所述的半导体芯片，其特征在于，台面(4)呈截头金字塔形。

12.如权利要求5所述的半导体芯片，其特征在于，所述薄膜层设有与所述台面邻接的连接层，并且所述有源区(3)设置在所述台面(4)的与覆层(5)相邻的那一半中。

13.如权利要求7所述的半导体芯片，其特征在于，所述薄膜层设有与所述台面邻接的连接层，并且覆层(5)对由有源区(3)发出的光子是尽可能透明的。

14.如权利要求7所述的半导体芯片，其特征在于，所述薄膜层设有与所述台面邻接的连接层，并且覆层(5)是高度搀杂的。

15.如权利要求1或2所述的半导体芯片，其特征在于，台面(4被反射层(9，10)覆盖住。

16.如权利要求15所述的半导体芯片，其特征在于，该反射层具有垫有绝缘层(9)的金属化层(10)。

17.如权利要求1或2所述的半导体芯片，其特征在于，有源薄膜层(2)具有5-50微米的厚度。

18.如权利要求17所述的半导体芯片，其特征在于，有源薄膜层(2)具有5-25微米的厚度。

19.如权利要求1或2所述的半导体芯片，其特征在于，所述至少一个孔洞(8)的深度大于薄膜层(2)的厚度的一半。

20.如权利要求1或2所述的半导体芯片，其特征在于，所述载体衬底(1)是导电的，并且在背对薄膜层(2)的那侧上具有一个电接触面(44)。

21.如权利要求2所述的半导体芯片，其特征在于，载体衬底(1)是导电的或电绝缘的，并且在面向薄膜层(2)的那侧上除薄膜层(2)外还有一个电接触面(46)。

22.如权利要求1或2所述的半导体芯片，其特征在于，薄膜层(2)的位于固定侧(11)对面的表面(6)设有用于改善光耦合输出的光学抗反射涂覆层(42)。

23.如权利要求22所述的半导体芯片，其特征在于，该光学抗反射涂覆层(42)由氮化硅构成。

24.如权利要求22所述的半导体芯片，其特征在于，该光学抗反射涂覆层(42)由导电的In-Sn氧化物构成。