[发明专利]垂直磁记录介质

权利要求书

1.一种垂直磁记录介质，该介质通过在非磁性基板上依次层加以下各层形成：软磁背衬层、第一底层、第一非磁性中间层、第二底层、第二非磁性中间层、磁记录层、保护膜和液体润滑剂层，其中所述第一底层包含具有fcc结构且至少包含Ni和Fe的软磁材料，所述第二底层包含具有fcc结构且至少包含Co的软磁材料。

2.如权利要求1所述的垂直磁记录介质，其特征在于，所述第一底层包含30原子％以上88原子％以下的Ni、0.1原子％以上22原子％以下的Fe。

3.如权利要求1或2所述的垂直磁记录介质，其特征在于，所述第一底层还包含一种或多种选自Co、Si、B、Nb、N、Ta、Al、Pd、Cr和Mo的材料。

4.如权利要求1至3中任一项所述的垂直磁记录介质，其特征在于，所述第一非磁性中间层包含选自V、Cr、Cu、Nb、Mo、Ru、Rh、Ta、W、Re、Ir的金属，或其主要组分是所述金属的合金。

5.如权利要求1至3中任一项所述的垂直磁记录介质，其特征在于，所述第一非磁性中间层包含至少含有Co的非磁性合金。

6.如权利要求1至4中任一项所述的垂直磁记录介质，其特征在于，所述第一非磁性中间层的膜厚度为0.1纳米以上2纳米以下。

7.如权利要求1、2、3或5所述的垂直磁记录介质，其特征在于，所述第一非磁性中间层的膜厚度为3纳米以上15纳米以下。

8.如权利要求1至7中任一项所述的垂直磁记录介质，其特征在于，所述第二底层还包含一种或多种选自下组的材料：Fe、B、Al、Zr、Mg和Si。

9.如权利要求8所述的垂直磁记录介质，其特征在于，以组成所述第二底层的原子总数作为基准，所述第二底层包含10原子％以下的Fe、50原子％以下的B、40原子％以下的Al、15原子％以下的Zr、52原子％以下的Mg、或者33原子％以下的Si。

10.如权利要求1至9中任一项所述的垂直磁记录介质，其特征在于，所述第二底层还包含一种选自O和N的材料。

11.如权利要求1至10中任一项所述的垂直磁记录介质，其特征在于，所述第二非磁性中间层包含Ru或Ru基合金。

12.如权利要求1至11中任一项所述的垂直磁记录介质，其特征在于，所述第二非磁性中间层的膜厚度为0.1纳米以上20纳米以下。

13.如权利要求1至12中任一项所述的垂直磁记录介质，其特征在于，所述磁记录层包含具有粒状结构的材料，其中磁性晶粒分散在非磁性氧化物或非磁性氮化物基质中。