[发明专利]隧道磁阻元件、磁头以及磁存储器

权利要求书

1.一种隧道磁阻元件，包括：

磁化固定层，其磁化方向固定；

隧道阻挡层，形成在所述磁化固定层上；

磁化自由层，形成在所述隧道阻挡层上，且由CoFeB膜形成，使得所述磁化自由层的磁化方向可变；

覆盖层，包括Ti膜，并形成在所述磁化自由层上，使得所述Ti膜与所述磁化自由层相接触。

2.如权利要求1所述的隧道磁阻元件，其中，所述隧道阻挡层由MgO膜形成。

3.如权利要求1所述的隧道磁阻元件，其中，所述CoFeB膜具有原子百分比为60％至80％的Co成份。

4.如权利要求3所述的隧道磁阻元件，其中，所述CoFeB膜具有原子百分比为20％的B成份。

5.如权利要求1所述的隧道磁阻元件，其中，所述CoFeB膜具有原子百分比为5％至25％的B成份。

6.如权利要求1所述的隧道磁阻元件，其中，所述磁化自由层的厚度为0.5nm至6nm。

7.如权利要求1所述的隧道磁阻元件，其中，所述覆盖层的厚度为0.5nm至5nm。

8.一种磁头，使用隧道磁阻元件作为读取元件，其中，所述隧道磁阻元件包括：

磁化固定层，其磁化方向固定；

隧道阻挡层，形成在所述磁化固定层上；

磁化自由层，形成在所述隧道阻挡层上，且由CoFeB膜形成，使得所述磁化自由层的磁化方向可变；

覆盖层，包括Ti膜，并形成在所述磁化自由层上，使得所述Ti膜与所述磁化自由层相接触。

9.如权利要求8所述的磁头，其中，所述隧道阻挡层由MgO膜形成。

10.如权利要求8所述的磁头，其中，所述CoFeB膜具有原子百分比为60％至80％的Co成份。

11.如权利要求8所述的磁头，其中，所述CoFeB膜具有原子百分比为5％至25％的B成份。

12.如权利要求8所述的磁头，其中，所述磁化自由层的厚度为0.5nm至6nm。

13.如权利要求8所述的磁头，其中，所述覆盖层的厚度为0.5nm至5nm。

14.一种磁存储器，使用隧道磁阻元件作为存储元件，其中，所述隧道磁阻元件包括：

磁化固定层，其磁化方向固定；

隧道阻挡层，形成在所述磁化固定层上；

磁化自由层，形成在所述隧道阻挡层上，且由CoFeB膜形成，使得所述磁化自由层的磁化方向可变；

覆盖层，包括Ti膜，并形成在所述磁化自由层上，使得所述Ti膜与所述磁化自由层相接触。

15.如权利要求14所述的磁存储器，其中，所述隧道阻挡层由MgO膜形成。

16.如权利要求14所述的磁存储器，其中，所述CoFeB膜具有原子百分比为60％至80％的Co成份。

17.如权利要求14所述的磁存储器，其中，所述CoFeB膜具有原子百分比为5％至25％的B成份。

18.如权利要求14所述的磁存储器，其中，所述磁化自由层的厚度为0.5nm至6nm。

19.如权利要求14所述的磁存储器，其中，所述覆盖层的厚度为0.5nm至5nm。