[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

从衬底分离具有半导体元件且形成在所述衬底上的元件形成层，

其中，在使用液体濡湿因分离所述元件形成层而露出的表面的同时，分离所述元件形成层。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，

其中，所述液体是纯水。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，

其中，所述液体是盐的水溶液、二氧化碳的水溶液、或者氯化氢的水溶液。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，

其中，所述液体包含水和挥发性液体。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，

其中，所述液体是有机溶剂。

6.一种半导体装置的制造方法，包括：

在衬底上形成剥离层；

在所述剥离层上形成具有半导体元件的元件形成层；

通过施加外力，以使在所述剥离层和所述元件形成层的界面产生剥离；以及

在使用液体濡湿因所述剥离而露出的表面的同时，从所述衬底分离所述元件形成层。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，

其中，所述液体是纯水。

8.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，

其中，所述液体是盐的水溶液、二氧化碳的水溶液、或者氯化氢的水溶液。

9.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，

其中，所述液体包含水和挥发性液体。

10.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，

其中，所述液体是有机溶剂。

11.一种半导体装置的制造方法，包括：

在衬底上形成剥离层；

在所述剥离层上形成具有半导体元件的元件形成层；

通过施加外力，以使在所述剥离层和所述衬底的界面产生剥离；以及

在使用液体濡湿因所述剥离而露出的表面的同时，从所述衬底分离所述元件形成层。

12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，

其中，所述液体是纯水。

13.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，

其中，所述液体是盐的水溶液、二氧化碳的水溶液、或者氯化氢的水溶液。

14.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，

其中，所述液体包含水和挥发性液体。

15.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，

其中，所述液体是有机溶剂。

16.一种半导体装置的制造方法，包括：

在衬底上形成剥离层；

在所述剥离层上形成具有半导体元件的元件形成层；

通过施加外力，以使所述剥离层的内部产生剥离；以及

在使用液体濡湿因所述剥离而露出的表面的同时，从所述衬底分离所述元件形成层。

17.根据权利要求16所述的半导体装置的制造方法，

其中，所述液体是纯水。

18.根据权利要求16所述的半导体装置的制造方法，

其中，所述液体是盐的水溶液、二氧化碳的水溶液、或者氯化氢的水溶液。

19.根据权利要求16所述的半导体装置的制造方法，

其中，所述液体包含水和挥发性液体。

20.根据权利要求16所述的半导体装置的制造方法，

其中，所述液体是有机溶剂。

21.一种半导体装置的制造方法，包括：

在衬底上形成剥离层；

在所述剥离层上形成具有半导体元件的元件形成层；

在所述剥离层和元件形成层的界面的端部从所述衬底分离所述元件形成层；以及

使用液体濡湿所述元件形成层的表面，其中所述元件形成层的所述表面因所述分离工序而露出。

22.根据权利要求21所述的半导体装置的制造方法，

其中，所述液体是纯水。