[发明专利]像素结构及其形成方法与驱动方法有效
申请号: | 200710153266.X | 申请日: | 2007-09-29 |
公开(公告)号: | CN101126880A | 公开(公告)日: | 2008-02-20 |
发明(设计)人: | 苏振嘉;田名峰;杨家荣;张庭瑞;陈伯纶 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/133 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 结构 及其 形成 方法 驱动 | ||
1.一种像素结构,设置于第一基板上,且电性连接于至少一扫描线及至少一数据线,该像素结构包括:
第一切换元件,电性连接于该扫描线及该数据线;
第二切换元件,电性连接于该扫描线及该数据线;
至少一像素电极,电性连接于该第二切换元件;
至少一控制电极,电性连接于该第一切换元件;以及
至少一耦合电极,位于部分该控制电极的下方。
2.如权利要求1所述的像素结构,其中,部分该耦合电极与该部分控制电极之间具有至少一耦合电容器。
3.如权利要求1所述的像素结构,其中,部分该控制电极与部分该像素电极之间具有至少一控制电容器。
4.如权利要求1所述的像素结构,还包括至少一第一共通电极线,位于部分该像素电极的下方。
5.如权利要求4所述的像素结构,其中部分该像素电极与部分该共通电极线之间具有第一共通电容器。
6.如权利要求1所述的像素结构,其中该第一切换元件包括晶体管,该晶体管具有耦接于该扫描线的栅极、耦接于该数据线的源极、及耦接于该控制电极的漏极。
7.如权利要求1所述的像素结构,其中该第二切换元件包括晶体管,该晶体管具有耦接于该扫描线的栅极、耦接于该数据线的源极、及耦接于该像素电极的漏极。
8.如权利要求1所述的像素结构,还包括对应设置于该第一基板的第二基板,且该第二基板具有共通电极。
9.如权利要求8所述的像素结构,其中,该第二基板的该共通电极及部分该像素电极之间具有至少一第一电容器。
10.如权利要求9所述的像素结构,其中,该第二基板的该共通电极及部分该控制电极之间具有至少一第二电容器。
11.如权利要求4所述的像素结构,还包括至少一第二共通电极线,位于部分该像素电极的下方。
12.如权利要求11所述的像素结构,其中,该第一共通电极线、该第二共通电极及部分该像素电极之间,分别具有至少一第一共通电容器及至少一第二共通电容器。
13.如权利要求11所述的像素结构,其中,施加于该第一共通电极线的信号及该第二共通电极线的信号,实质上不同。
14.如权利要求11所述的像素结构,其中,施加于该第一共通电极线的信号及该第二共通电极线的信号实质上相同。
15.如权利要求11所述的像素结构,其中,施加于该第二共通电极线的信号及该耦合电极的信号实质上不同。
16.如权利要求13所述的像素结构,其中,该第一共通电极线的该信号与该第二共通电极线的该信号实质上为反相。
17.如权利要求1所述的像素结构,其中,该控制电极与该共通电极的电压差绝对值,实质上不同于该像素电极与该共通电极的电压差绝对值。
18.如权利要求1所述的像素结构,其中,该控制电极与该共通电极的电压差绝对值,实质上大于该像素电极与该共通电极的电压差绝对值。
19.如权利要求1所述的像素结构,其中,该控制电极的材料实质上相同于该数据线的材料与该像素电极的材料的其中之一。
20.如权利要求1所述的像素结构,其中,该耦合电极的材料实质上相同于该扫描线的材料与该数据线的材料的其中之一。
21.一种显示元件,包括如权利要求1所述的像素结构。
22.一种电子元件,包括如权利要求21所述的显示元件。
23.一种像素结构的形成方法,该像素结构形成于第一基板上,且电性连接于至少一扫描线及至少一数据线,该方法包括:
形成第一切换元件于该像素结构中,且电性连接于该扫描线及该数据线;
形成第二切换元件于该像素结构中,且电性连接于该扫描线及该数据线;
形成至少像素电极于该像素结构中,且电性连接于该第二切换元件;
形成至少一控制电极于该像素结构中,且电性连接于该第一切换元件;以及
形成至少一耦合电极于部分该控制电极的下方。
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