[发明专利]掩模坯板和掩模有效
申请号: | 200710153319.8 | 申请日: | 2007-09-14 |
公开(公告)号: | CN101144972A | 公开(公告)日: | 2008-03-19 |
发明(设计)人: | 桥本雅广;榎本智之;坂口崇洋;坂本力丸;永井雅规 | 申请(专利权)人: | 豪雅株式会社;日产化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F1/14 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 段承恩;田欣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 掩模坯板 | ||
1.一种掩模坯板,具有在基板上成膜的用于形成掩模图案的薄膜、和在该薄膜上方成膜的化学放大型抗蚀剂膜,其特征在于,
在上述薄膜和抗蚀剂膜之间具有阻止妨害上述抗蚀剂膜的化学放大机能的物质从抗蚀剂膜的底部向抗蚀剂膜内的移动的保护膜。
2.一种掩模坯板,具有在基板上成膜的用于形成掩模图案的薄膜、和在该薄膜的上方成膜的化学放大型的抗蚀剂膜,其特征在于,
在上述薄膜和上述抗蚀剂膜之间具有膜厚为2nm以上、膜密度为1.4g/cm3以上的树脂膜,另外,上述膜密度是通过X射线反射法,即掠入射X射线反射技术GXIR求出的膜密度。
3.如权利要求2所述的掩模坯板,其特征在于,通过上述树脂膜阻止妨害上述抗蚀剂膜的化学放大机能的物质从抗蚀剂膜的底部向抗蚀剂膜内的移动。
4.如权利要求2或3所述的掩模坯板,其特征在于,上述树脂膜构成为可在上述薄膜的构图处理中除去。
5.如权利要求1~4的任一项所述的掩模坯板,其特征在于,上述薄膜是金属膜。
6.如权利要求1~5的任一项所述的掩模坯板,其特征在于,上述薄膜是通过反应性溅射法成膜的膜。
7.如权利要求1~6的任一项所述的掩模坯板,其特征在于,上述掩模坯板是形成上述化学放大型抗蚀剂膜前的掩模坯板。
8.一种转印掩模,其特征在于,对权利要求1~7的任一项所述的掩模坯板上的上述薄膜进行构图,从而在基板上形成转印图案。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于豪雅株式会社;日产化学工业株式会社,未经豪雅株式会社;日产化学工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710153319.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备