[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法无效
申请号: | 200710153332.3 | 申请日: | 2007-09-17 |
公开(公告)号: | CN101179093A | 公开(公告)日: | 2008-05-14 |
发明(设计)人: | 崔东洙;朱宁澈;朴镇宇 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L23/10;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/52;H05B33/12;H05B33/04;H05B33/10 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭鸿禧;常桂珍 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光显示装置,包括:
第一基底;
第二基底;
有机发光像素的阵列,所述阵列置于所述第一基底和所述第二基底之间;
玻璃料密封件,使所述第一基底和所述第二基底互连,所述玻璃料密封件包括多个直线部分和多个角落部分,各部分中的每个包括对于所述第一基底和所述第二基底中的每个的密封表面,
其中,所述直线部分和所述角落部分具有基本相同的宽度的对于所述第一基底和所述第二基底中的每个的所述密封表面,其中,所述玻璃料密封件在所述直线部分和所述角落部分中的宽度基本均匀。
2.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述角落部分为圆形角落部分。
3.如权利要求2所述的有机发光显示装置,其中,所述圆形角落部分的曲率半径为大约0.5mm至大约1.5mm。
4.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述角落部分为大体的矩形角落部分。
5.如权利要求4所述的有机发光显示装置,其中,所述直线部分和所述角落部分的有效密封宽度与总密封宽度的比为大约0.85至大约1.0。
6.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述密封表面的宽度为大约0.6mm至大约1.0mm。
7.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述玻璃料密封件在所述直线部分中的厚度与所述玻璃料密封件在所述角落部分中的厚度基本相同。
8.如权利要求7所述的有机发光显示装置,其中,所述玻璃料密封件的厚度为5μm至大约30μm。
9.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述玻璃料密封件包括陷在其内的多个气泡。
10.如权利要求9所述的有机发光显示装置,其中,所述直线部分和所述角落部分包含浓度基本相同的气泡。
11.一种制造根据权利要求1所述的有机发光显示装置的方法,所述方法包括的步骤为:
在所述第一基底和所述第二基底中的至少一个上形成玻璃料材料,使得所述有机发光像素的阵列置于所述第一基底和所述第二基底之间;
将激光照射到所述玻璃料材料上,由此形成宽度基本相同的玻璃料密封件。
12.如权利要求11所述的方法,其中,所述照射的步骤被构造为所述玻璃料密封件的所述直线部分和所述角落部分从激光接收基本相同量的能量。
13.如权利要求11所述的方法,其中,所述照射步骤包括:
激光以恒定的速度扫描;
根据激光照射的位置控制所述激光的强度,
其中,用强度减小的激光照射所述玻璃料密封件的所述角落部分。
14.如权利要求13所述的方法,其中,所述直线部分包括离所述角落部分远的远子部分和离所述角落部分较近的近子部分,其中,与所述远子部分相比,用较低强度的激光照射所述近子部分。
15.如权利要求11所述的方法,其中,所述照射步骤包括:
保持激光的强度为基本恒定的值;
根据激光照射的位置控制激光的扫描速度,
其中,用提高的扫描速度的激光照射所述玻璃料密封件的所述角落部分。
16.如权利要求15所述的方法,其中,所述直线部分包括离所述角落部分远的远子部分和离所述角落部分较近的近子部分,其中,与所述远子部分相比,用较高扫描速度的激光照射所述近子部分。
17.如权利要求11所述的方法,其中,所述形成玻璃料材料的步骤包括:
提供所述第二基底;
将所述玻璃料材料涂敷在所述第二基底上;
在预定温度下烧结所述玻璃料材料;
提供所述第一基底和在所述第一基底上形成的所述有机发光像素的阵列;
使所述第一基底接合到所述第二基底,使得所述阵列置于所述第一基底和所述第二基底之间。
18.如权利要求17所述的方法,其中,所述预定温度为大约300℃至大约700℃。
19.如权利要求17所述的方法,还包括对所述有机发光像素的阵列进行掩盖,使得所述有机发光像素的阵列不因激光而被损坏。
20.如权利要求11所述的方法,其中,执行所述照射激光的步骤,使得所述直线部分和所述角落部分从激光接收基本相同量的能量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的