[发明专利]高压CMOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造高压CMOS器件的方法，包括：

在半导体衬底上形成第一氧化物膜图案，暴露半导体衬底的预定区域；

在暴露的半导体衬底上形成第二氧化物膜图案；以及

通过利用第一氧化物膜图案作为注入掩膜进行离子注入和退火，形成高压深阱区域，

其中利用退火处理使第二氧化物膜图案扩散以在高压深阱区域的顶面上产生台阶。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

移除第一和第二氧化物膜图案；

在半导体衬底上形成隔离区域；以及

在产生台阶的区域中形成隔离物。

3.如权利要求2所述的方法，其中该隔离物由氮化物形成。

4.如权利要求2所述的方法，进一步包括：

在高压深阱区域中形成逻辑阱；

在半导体衬底上形成栅极结构；以及

在半导体衬底上的栅极结构的边上形成源极和漏极区域。

5.如权利要求1所述的方法，其中该第一氧化物膜图案被形成为3000至7000的厚度。

6.如权利要求5所述的方法，其中该第一氧化物膜图案被形成为大约5000的厚度。

7.如权利要求1所述的方法，其中该第二氧化物膜图案被形成为600至1000的厚度。

8.如权利要求7所述的方法，其中该第二氧化物膜图案被形成为大约800的厚度。

9.如权利要求1所述的方法，其中该台阶用作光学对准标记。

10.一种高压CMOS器件，包括：

半导体衬底；

在半导体衬底上具有台阶结构表面的高压深阱区域；

形成在高压深阱区域中的逻辑阱区域；

形成在半导体衬底上的隔离区域；

形成在台阶结构的台阶产生区域中的隔离物：

形成在半导体衬底上的栅极结构；以及

形成在栅极结构边上的半导体衬底上的源极和漏极区域。

11.如权利要求10所述的器件，其中该隔离物由氮化物形成。