[发明专利]蚀刻设备和使用蚀刻设备的蚀刻方法

权利要求书

1.一种蚀刻设备，其包括：

腔室；

衬底支撑件，其在所述腔室中；

衬底屏蔽单元，其在所述衬底支撑件上方，其中所述衬底屏蔽单元的直径小于或等于衬底；

气体注射构件，其将气体注射到所述衬底的周界上；

电源单元，其将RF(射频)功率提供到所述腔室中；以及

多个传感器，其感测所述衬底支撑件与所述衬底屏蔽单元之间的间隔。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个传感器设置在所述衬底支撑件中。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述衬底支撑件包含多个通孔，每一通孔由真空密封壁密封，且每一传感器设置在所述通孔中所述真空密封壁下方。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个传感器设置在所述衬底屏蔽单元中。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个传感器包含激光光学传感器与涡流传感器中的一者。

6.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括连接到所述衬底支撑件的调平控制单元，其中所述调平控制单元包含至少三个部分，每一所述部分独立地将所述衬底支撑件的高度控制在所述至少三个部分中的每一者处。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述电源单元包含电连接到所述衬底支撑件的RF电源以及设置在所述衬底支撑件与所述RF电源之间的阻抗匹配系统。

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述气体注射构件包含密封所述腔室的上壁且具有注射孔的气体分布板，其中所述衬底屏蔽单元连接到所述气体分布板的底部表面，且所述注射孔沿着所述气体分布板的周界设置，使得所述注射孔围绕所述衬底屏蔽单元。

9.根据权利要求1所述的设备，其中所述电源单元包含电连接到所述衬底支撑件的第一RF电源、设置在所述衬底支撑件与所述第一RF电源之间的第一阻抗匹配系统、电连接到所述气体注射构件的第二RF电源，以及设置在所述气体注射构件与所述第二RF电源之间的第二阻抗匹配系统，其中所述第一RF电源用于产生等离子，且所述第二RF电源用于偏压。

10.根据权利要求1所述的设备，其中所述电源单元包含在所述腔室外部的天线。

11.一种蚀刻设备，其包括：

腔室；

衬底支撑件，其在所述腔室中，

衬底屏蔽单元，其在所述衬底支撑件上方，其中所述衬底屏蔽单元的直径小于或等于衬底；

气体注射构件，其将气体注射到所述衬底的周界上；

电源单元，其将RF功率提供到所述腔室中；以及

观察口，其位于所述衬底屏蔽单元的中心，其中所述观察口用于检测所述衬底屏蔽单元与所述衬底支撑件的中心之间的一致性。

12.根据权利要求11所述的设备，其中所述衬底支撑件在其中心处具有第一标记，且所述观察口在其中心处具有第二标记。

13.根据权利要求11所述的设备，其进一步包括相对于所述衬底屏蔽单元水平移动所述衬底支撑件的水平驱动单元。

14.根据权利要求11所述的设备，其进一步包括在所述腔室外部处于所述观察口上方的相机。

15.一种使用蚀刻设备的蚀刻方法，所述蚀刻设备包含腔室、所述腔室中的衬底支撑件、所述衬底支撑件上方的衬底屏蔽单元、将气体注射到待设置在所述衬底支撑件上的衬底的周界上的气体注射构件、将RF功率提供到所述腔室中的电源单元、感测所述衬底支撑件与所述衬底屏蔽单元之间的间隔的多个传感器、连接到所述衬底支撑件的调平控制单元、在所述衬底屏蔽单元的中心的用于检测所述衬底屏蔽单元与所述衬底支撑件的中心的一致性的观察口，以及相对于所述衬底屏蔽单元水平移动所述衬底支撑件的水平驱动单元，所述方法包括：

在所述腔室中形成真空条件；

使用所述多个传感器和所述调平控制单元对所述衬底支撑件与所述衬底屏蔽单元之间的第一距离进行第一控制，使得所述间隔彼此相等；

使用所述观察口和所述水平驱动单元对所述衬底支撑件与所述衬底屏蔽单元进行第一对准；

将所述衬底加载在所述衬底支撑件上；

移动所述衬底支撑件，使得所述衬底距所述衬底屏蔽单元第二距离；以及通过产生等离子移除所述衬底边缘处的微粒。

16.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括对所述衬底支撑件与所述衬底屏蔽单元之间的第一距离进行第二控制，以及在将所述衬底加载在所述衬底支撑件上之前对所述衬底支撑件与所述衬底屏蔽单元进行第二对准。