[发明专利]反波导大光学腔半导体激光器无效
| 申请号： | 200710153823.8 | 申请日： | 2007-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN101159366A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 薄报学;高欣;王玉霞;李辉;卢鹏;乔忠良;曲轶 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/34 |
| 代理公司： | 中国兵器工业集团公司专利中心 | 代理人： | 曲博 |
| 地址： | 130022吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 波导 光学 半导体激光器 | ||
【权利要求书】：
1.一种反波导大光学腔半导体激光器，其外延结构包括衬底(1)、限制层(2)、波导层(3)、量子阱有源层(4)及欧姆接触层(5)，波导层(3)分上、下两层，其特征在于，波导层(3)材料组分反向线性渐变，波导层(3)结构为反向线性渐变折射率结构，靠近量子阱有源层(4)处的折射率较小，随着向限制层(2)的靠近，折射率逐渐增大。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，限制层(2)分上、下两层，材料组分均匀，厚度为0.7～1.5微米。
3.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，波导层(3)厚度为0.1～0.6微米。
4.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，量子阱有源层(4)材料组分均匀，量子阱数量为1～4个，单个量子阱的厚度为7～20纳米。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长春理工大学，未经长春理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710153823.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
