[发明专利]显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种显示装置，在衬底上具备有薄膜晶体管以及用以保持经由前述薄膜晶体管而施加至像素电极的显示信号的保持电容的显示装置中，其特征在于，

前述薄膜晶体管具备有：

遮光层，形成在前述衬底上；

多晶硅层，在前述遮光层上隔着缓冲膜而形成；

栅极绝缘膜，覆盖前述多晶硅层；以及

栅极电极，形成在前述栅极绝缘膜上；

而前述保持电容具备有：

下层保持电容电极，形成在前述衬底上；

下层保持电容膜，经由形成在前述下层保持电容电极上的前述缓冲膜的开口部而与前述下层保持电容电极接触，且比前述缓冲膜还薄；

保持电容电极，隔着前述下层保持电容膜而形成在前述下层保持电容电极上，且具有比前述缓冲膜上的多晶硅层的结晶粒径还小的微结晶多晶硅部分；

上层保持电容膜，覆盖前述保持电容电极；以及

上层保持电容电极，隔着前述上层保持电容膜而形成在前述保持电容电极上。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，前述保持电容电极的图案形成为比前述开口部的底部还大，前述保持电容电极外周部的边缘配置在前述开口部的倾斜部的前述缓冲膜上，且前述保持电容电极外周部的结晶粒径比内侧的结晶粒径还大。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，前述保持电容电极的图案形成为比前述开口部的底部还大，前述保持电容电极外周部的边缘配置在前述开口部的外侧的前述缓冲膜上，且前述保持电容电极外周部的结晶粒径比内侧的结晶粒径还大。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，前述缓冲膜与前述下层保持电容膜的膜厚总和为300nm以上。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，前述下层保持电容膜的膜厚为100nm以下。

6.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，前述保持电容电极的外周部未与前述上层保持电容电极重叠。

7.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，前述保持电容电极的外周部未与前述上层保持电容电极重叠。

8.一种显示装置的制造方法，在衬底上具备有薄膜晶体管以及用以保持经由该薄膜晶体管而施加至像素电极的显示信号的保持电容的显示装置的制造方法，其特征在于：该制造方法具备有：

在前述衬底上形成遮光层及下层保持电容电极的步骤；

形成缓冲膜并覆盖前述遮光层及下层保持电容电极的步骤；

选择性地蚀刻前述下层保持电容电极上的前述缓冲膜以形成开口部的步骤；

经由前述开口部在前述下层保持电容电极上形成比前述缓冲膜还薄的下层保持电容膜的步骤；

在前述缓冲膜及前述下层保持电容膜上形成非晶硅层，并对该非晶硅层进行激光退火，由此将非晶硅层形成为多晶硅层的步骤；

将前述多晶硅层予以图案化以形成保持电容电极的步骤；

形成用以覆盖前述多晶硅层的栅极绝缘膜以及用以覆盖前述保持电容电极的上层保持电容膜的步骤；以及

在前述栅极绝缘膜上形成栅极电极，且在前述上层保持电容膜上形成上层保持电容电极的步骤。

9.根据权利要求8所述的显示装置的制造方法，其特征在于，形成前述保持电容电极的步骤，将前述保持电容电极形成为比前述开口部的底部还大，且使前述保持电容电极的边缘配置在前述开口部的倾斜部的前述缓冲膜上。

10.根据权利要求8所述的显示装置的制造方法，其特征在于，形成前述保持电容电极的步骤，将前述保持电容电极形成为比前述开口部的底部还大，且使前述保持电容电极的边缘配置在前述开口部的外侧的前述缓冲膜上。

11.根据权利要求8所述的显示装置的制造方法，其特征在于，前述缓冲膜与前述下层保持电容膜的膜厚总和为300nm以上。

12.根据权利要求8所述的显示装置的制造方法，其特征在于，前述下层保持电容膜的膜厚为100nm以下。