[发明专利]有机发光装置及其制造方法无效
申请号: | 200710154080.6 | 申请日: | 2007-09-13 |
公开(公告)号: | CN101212851A | 公开(公告)日: | 2008-07-02 |
发明(设计)人: | 许宗茂 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H05B33/14 | 分类号: | H05B33/14;H05B33/26;H05B33/12;H05B33/10;G02F1/13357 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 韩明星;常桂珍 |
地址: | 韩国京畿道水*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种有机发光装置及其制造方法。更具体地讲,本发明涉及一种改进了其电特性的有机发光装置以及该有机发光装置的制造方法。
背景技术
近来朝着重量轻且薄的个人计算机和电视机的发展趋势也需要重量轻且薄的显示装置,满足了这种需求的诸如液晶显示器(LCD)的平板显示器正在代替传统的阴极射线管(CRT)。
然而,因为LCD是无源显示装置,所以需要附加的背光作为光源,且LCD具有各种问题,诸如响应时间慢、视角窄。
在平板显示器中,有机发光装置近来已成为最有希望解决这些问题的显示装置。
有机发光装置是自发射显示装置,有机发光装置包括两个电极和设置在两个电极之间的有机发光层。两个电极中的一个向发光层中注入空穴,另一个向发光层中注入电子。注入的电子与空穴复合以形成激子,激子释放能量时发光。
在平板显示器中,由于有机发光装置的功耗低、响应时间快、视角宽以及对比度高,所以有机发光装置是最有前途。
根据驱动类型,有机发光装置分为无源矩阵有机发光装置和有源矩阵有机发光装置。
有源矩阵有机发光装置包括:多个开关薄膜晶体管(TFT),连接到相互交叉的信号线;多个驱动TFT,连接到开关TFT和驱动电压线;多个发射部分,连接到驱动TFT。
发明内容
对于OLED的最佳特性来说,开关薄膜晶体管(TFT)的特性和驱动TFT的特性可彼此不同。具体地讲,开关TFT可具有优良的导通/截止特性,驱动TFT可具有为了提供用于驱动OLED的充足的电流的高的迁移率和稳定性。
如果开关TFT的截止电流增大,则传输到驱动TFT的数据电压会降低,从而产生串扰。如果驱动TFT具有低的迁移率和稳定性,则会发生显示特性的劣化,其中,显示特性的劣化例如传输到发光装置的电流减小、图像残留现象、寿命减小等。
本发明通过同时满足驱动TFT和开关TFT的特性而改进了有机发光装置的电特性。
在本发明的示例性实施例中,有机发光装置包括:基底;第一信号线和第二信号线,形成在基底上;开关TFT,连接到第一信号线和第二信号线,并包括第一半导体;驱动TFT,包括第二半导体、蚀刻停止件、驱动输入电极、驱动输出电极和驱动控制电极,其中,蚀刻停止件形成在第二半导体上,驱动输入电极和驱动输出电极与蚀刻停止件和第二半导体叠置并相对于蚀刻停止件彼此相对,驱动控制电极连接到开关TFT并与第二半导体叠置;第一电极,连接到驱动输出电极;第二电极,与第一电极相对;有机发光构件,其中,蚀刻停止件、驱动输入电极和驱动输出电极中的至少一个关于一条直线对称。
第二半导体可具有第一部分和与第一部分分离的第二部分。蚀刻停止件可为轨道形状(track-shaped),诸如包括连续的椭圆形状;驱动输入电极可与蚀刻停止件的内部部分叠置;驱动输出电极与蚀刻停止件的外部部分叠置。驱动输出电极可包括:第一部分和第二部分,设置在蚀刻停止件的相对侧上;第三部分,将驱动输出电极的第一部分与第二部分彼此连接。
有机发光装置还可包括连接到驱动TFT的驱动输入电极的第三信号线。蚀刻停止件、驱动输入电极和驱动输出电极可相对于第三信号线对称。驱动输出电极和第二半导体均可分别具有两个部分,且驱动输出电极和第二半导体中的每个的两个部分在相对于第三信号线的相对侧上彼此分离。
驱动输入电极可包括第一部分和与驱动输入电极的第一部分分离的第二部分,有机发光装置还可包括第一驱动电压线和第二驱动电压线,其中,第一驱动电压线连接到驱动输入电极的第一部分,第二驱动电压线连接到驱动输入电极的第二部分。蚀刻停止件和驱动输出电极均可包括彼此分离且形成为反向对称的第一部分和第二部分。蚀刻停止件的第一部分和第二部分可包括马蹄形状,驱动输出电极的第一部分和第二部分可分别与蚀刻停止件的第一部分和第二部分的内部部分叠置,且驱动输入电极的第一部分和第二部分可分别与蚀刻停止件的第一部分和第二部分的外部部分叠置。有机发光装置还可包括多个第一电极,驱动输出电极的第一部分和第二部分可分别连接到同一第一电极。
第一半导体和第二半导体可具有不同的晶体结构。第一半导体可由非晶硅(a-Si)制成,第二半导体可由多晶硅或微晶硅制成。
第一半导体和第二半导体可由多晶硅或微晶硅制成。
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