[发明专利]改进的显示基底及其制造方法和具有该基底的显示装置有效
申请号: | 200710154082.5 | 申请日: | 2007-09-13 |
公开(公告)号: | CN101154003A | 公开(公告)日: | 2008-04-02 |
发明(设计)人: | 张钟雄 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/133;G09G3/36;G09G3/20;H01L21/00 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 韩明星;冯敏 |
地址: | 韩国京畿道*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 改进 显示 基底 及其 制造 方法 具有 显示装置 | ||
1.一种显示基底,包括:
栅极线;
源线,与栅极线交叉,以限定像素区;
存储线,由与栅极线相同的层形成,存储线与源线部分地叠置;
像素电极,与源线部分地叠置,像素电极电连接到存储线。
2.如权利要求1所述的显示基底,还包括:
有机绝缘层,形成在源线和像素电极之间。
3.如权利要求1所述的显示基底,还包括:
滤色器层,形成在源线和像素电极之间。
4.如权利要求1所述的显示基底,还包括:
开关元件,电连接到第n栅极线和第m源线,其中,m和n是自然数。
5.如权利要求4所述的显示基底,其中,当在显示基底的平面图中观察时,存储线与第m源线和第m-1源线叠置,并形成在像素区的上部和像素区的下部之一中。
6.如权利要求5所述的显示基底,其中,存储线具有朝第n栅极线或第n-1栅极线开口的U形形状。
7.如权利要求4所述的显示基底,其中,如在显示基底的平面图中所观察到的,存储线与第m源线或第m-1源线叠置。
8.一种显示装置,包括:
开关元件,电连接到彼此交叉以限定像素区的栅极线和源线;
液晶电容器,具有通过第一接触孔电连接到开关元件的像素电极,;
存储电容器,具有与源线部分地叠置的存储线,存储线通过第二接触孔电连接到像素电极。
9.如权利要求8所述的显示装置,其中,开关元件、存储线和像素电极形成像素部分,像素部分的电容比(Cpix-Clc)/Clc在大约0.4至大约0.6的范围内,
其中,Cpix表示像素区中形成的电容器的总电容,Clc表示液晶电容器的电容。
10.如权利要求9所述的显示装置,其中,液晶电容器由像素电极、面向像素电极的共电极以及置于像素电极和共电极之间的液晶层限定。
11.如权利要求9所述的显示装置,其中,存储电容器包括:存储线;栅极绝缘层,形成在存储线上;源线,形成在栅极绝缘层上并与存储线叠置;有机绝缘层,形成在源线上;像素电极,与源线部分地叠置。
12.如权利要求9所述的显示装置,其中,存储电容器包括:存储线;栅极绝缘层,形成在存储线上;源线,形成在栅极绝缘层上并与存储线叠置;滤色器层,形成在源线上;像素电极,与源线部分地叠置。
13.如权利要求9所述的显示装置,其中,开关元件包括:栅电极,电连接到第n栅极线;源电极,电连接到第m源线;漏电极,电连接到像素电极,其中,m和n表示自然数。
14.如权利要求13所述的显示装置,其中,当在显示装置的平面上观察时,存储线与第m源线和第m-1源线叠置,并形成在像素区的上部和像素区的下部之一中。
15.如权利要求14所述的显示装置,其中,存储线具有朝第n栅极线或第n-1栅极线开口的U形形状。
16.如权利要求13所述的显示装置,其中,如在显示装置的平面图中所观察到的,存储线与第m源线或第m-1源线叠置。
17.一种制造显示基底的方法,包括:
在基体基底的像素区的每个中形成存储线,其中,基体基底具有限定在其上的多个像素区;
在存储线上形成栅极绝缘层;
在栅极绝缘层上形成源线,源线与存储线叠置;
在源线上形成像素电极,以使得像素电极与源线的部分叠置。
18.如权利要求17所述的方法,还包括:
在源线和像素电极之间形成有机绝缘层。
19.如权利要求17所述的方法,还包括:
在源线和像素电极之间形成滤色器层。
20.如权利要求17所述的方法,还包括:
形成暴露存储线的端部的接触孔,其中,像素电极通过接触孔与存储线的端部接触。
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