[发明专利]发光二极管的倒装封装制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管的倒装封装制作方法，包含下列步骤：

提供具有多个凹槽的硅凹槽阵列；

在每个所述凹槽内形成多个导通孔，且在每个所述凹槽的底部形成对应所述导通孔的多个底部电极；

将发光二极管芯片倒装安装在所述凹槽内，且所述发光二极管芯片的电极与所述导通孔电连接；

将所述硅凹槽阵列切割成多个硅基座，且每个所述硅基座具有至少一个所述凹槽；

利用保护胶将所述硅基座的所述凹槽填平，以提供平整的上表面；并且

利用印刷方式在所述保护胶上形成荧光层。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述导通孔的制作步骤包含：

在所述凹槽的底部利用击穿或激光蚀刻方式形成多个缺口；以及

使用钛铝金合金在所述缺口处形成对应所述缺口的多个底部电极。

3.如权利要求2所述的方法，其中进一步包含：

利用光阻在所述凹槽的正面形成对应所述缺口的图案；

利用湿蚀刻形成通孔；以及

在所述通孔内形成导通金属，以制作所述导通孔，其中在所述导通孔的上方具有露出的对接电极。

4.如权利要求3所述的方法，其中当所述发光二极管芯片倒装安装在所述凹槽内时，所述发光二极管芯片的电极通过所述对接电极与所述导通孔电连接。

5.如权利要求3所述的方法，其中利用电镀或沉积的方式在所述通孔内形成所述导通金属。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述利用印刷方式形成荧光层的步骤在光刻室中进行。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述利用印刷方式形成荧光层的步骤由用刮刀涂布荧光粉溶液完成。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述荧光粉溶液为硅树脂与YAG黄色荧光粉以100:13的比例调配而成。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述硅凹槽阵列由对硅晶圆进行湿蚀刻而制成，且所述凹槽的深度为100-300毫米，所述凹槽的角度为7.5-70度。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述荧光层的厚度为50-200微米，且与所述发光二极管芯片的距离为100微米。

11.一种发光二极管的倒装封装制作方法，包含下列步骤：

提供具有多个凹槽的硅凹槽阵列；

在每个所述凹槽内形成多个导通孔，且在每个所述凹槽的底部形成对应所述导通孔的多个底部电极；

将发光二极管芯片倒装安装在所述凹槽内，且所述发光二极管芯片的电极与所述导通孔电连接；

将所述硅凹槽阵列切割成多个硅基座，且每个所述硅基座具有至少一个所述凹槽；

利用保护胶将所述硅基座的所述凹槽填平，以提供平整的上表面；并且

在所述保护胶上放置具有预定色温参数的荧光片。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述荧光片由压模方式形成，且在固化后进行色温参数筛选。

13.如权利要求11所述的方法，其中所述荧光片由YAG黄色荧光粉制成。

14.如权利要求11所述的方法，其中所述保护胶为多层的硅树脂层，且各层所述硅树脂层具有不同的折射率以达到折射率匹配效果。

15.一种倒装封装的发光二极管装置，用以倒装安装发光二极管芯片，包含：

硅基座，具有一个凹槽；

多个导通孔，在所述凹槽的底面形成，将所述发光二极管芯片以倒装方式安装在所述凹槽内，且所述发光二极管芯片的电极与所述导通孔电连接；

在所述凹槽内形成的保护胶，具有平坦的上表面；以及

荧光层，放置在所述保护胶的上方。

16.如权利要求15所述的装置，其中在每个所述导通孔之下均具有底部电极，且所述底部电极的材质为钛铝金合金。

17.如权利要求15所述的装置，其中所述保护胶为多层的硅树脂层，且各层所述硅树脂层具有不同的折射率以达到折射率匹配效果。

18.如权利要求15所述的装置，其中所述凹槽的深度为100-300毫米，所述凹槽的角度为7.5-70度。