[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法与应用其的液晶显示面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

一栅极，设置于一基板上；

一栅极绝缘层，设置于所述基板上且覆盖所述栅极；

一半导体层，设置于所述栅极绝缘层上，所述半导体层包括：

一硅层，设于所述栅极绝缘层上；及

一掺杂层，位于所述硅层上的两侧，其中所述掺杂层的下表面与所述硅层接触，位于所述硅层两侧的所述掺杂层的侧面是两两相对；以及

一源极及漏极金属化层，位于所述半导体层的两侧，并且包括：

一第一导体层，设置于所述掺杂层上，所述第一导体层的下表面与所述掺杂层上表面完全接触无暴露处；

一第二导体层，设置于所述第一导体层上，所述第一导体层的上表面部分暴露出所述第二导体层；及

一第三导体层，设置于所述第二导体层上，所述第三导体层的下表面与所述第二导体层的上表面完全接触无暴露处。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二导体层的厚度及所述第三导体层的厚度均大于所述第一导体层的厚度。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一导体层的厚度大约为

4.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二导体层的厚度大约为

5.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第三导体层的厚度大约为

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一导体层的材质包括钛、氮化钛或钨，所述第二导体层的材质包括铝或铜，所述第三导体层的材质包括钼。

7.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

依序形成一栅极及一栅极绝缘层于一基板上，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极；

形成一半导体层覆盖于所述栅极绝缘层上；

形成一源极及漏极金属化层覆盖于所述半导体层上，所述源极及漏极金属化层包括第一导体层，设置于一掺杂层上，所述第一导体层的下表面与所述掺杂层上表面完全接触无暴露处；第二导体层，设置于所述第一导体层上，所述第一导体层的上表面部分暴露出所述第二导体层；第三导体层，设置于所述第二导体层上，所述第三导体层的下表面与所述第二导体层的上表面完全接触无暴露处；

依照一图案湿式蚀刻部分所述源极及漏极金属化层；以及

依照所述图案干式蚀刻剩余的所述源极及漏极金属化层及部分的所述半导体层。

8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，形成所述源极及漏极金属化层的步骤还包括：

形成一第一导体层于所述半导体层上，所述第一导体层的材质包括钛、氮化钛或钨；

形成一第二导体层于所述第一导体层上，所述第二导体层的材质包括铜或铝；及

形成一第三导体层于所述第二导体层上，所述第三导体层的材质包括钼。

9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，形成所述半导体层的步骤还包括：

形成一硅层覆盖于所述栅极绝缘层上；及

形成一掺杂层覆盖于所述硅层上。

10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，于湿式蚀刻的步骤中是依照所述图案蚀刻所述第三导体层及所述第二导体层。

11.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于，于干式蚀刻的步骤中是依照所述图案蚀刻所述第一导体层、所述掺杂层及部分的所述硅层。

12.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，于湿式蚀刻的步骤中是依照所述图案蚀刻所述第三导体层。

13.如权利要求12所述的制造方法，其特征在于，于干式蚀刻的步骤中是依照所述图案蚀刻所述第二导体层、所述第一导体层、所述掺杂层及部分的所述硅层。

14.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，于形成所述源极及漏极金属化层的步骤后，所述方法还包括：

形成一光阻层于所述源极及漏极金属化层上，所述光阻层具有所述图案。

15.如权利要求14所述的制造方法，其特征在于，于干式蚀刻的步骤后，所述方法还包括：

移除所述光阻层。