[发明专利]全息记录材料及全息记录介质

说明书

技术领域

本发明涉及适于体积型全息记录的全息(ホロダラム)记录材料、及具有由所述全息记录材料构成的全息记录层的全息记录介质。特别是，本发明涉及适于不仅通过绿色激光器还通过蓝色激光器的记录/再生的全息记录材料、及具有由所述全息记录材料构成的全息记录层的全息记录介质。

背景技术

作为将大容量、高速输送成为可能的记录技术，正进行全息照相存储器的研究开发。在○plus E，Vol.25，No.4，385-390(2003)中记载了全息照相存储器的基本构成及今后的展望。

作为全息记录材料所需的特性，例如有记录时的高折射率变化、高灵敏度、低散射、耐环境性、耐久性、低尺寸变化及高多重性等。至今为止，对于使用绿色激光器的全息照相存储器记录有如下的多种报告。

作为全息记录材料已知有将有机粘合聚合物和光聚合型单体为主成分的光敏聚合物材料。不过光敏聚合物材料在耐环境性、耐久性等方面存在问题。为了解决光敏聚合物材料的问题，以无机基质和光聚合型单体为主成分的有机-无机杂化材料受到瞩目而被研究。无机基质，其耐环境性、耐久性优良。

例如，在日本国专利2953200号公报中，公开了在无机物质网状膜中含有光聚合型单体或低聚物及光聚合引发剂的光记录用膜。另外，还公开了将无机网状物进行有机修饰而改善无机网状膜的脆性的方法。不过，无机网状物质和光聚合型单体或低聚物之间的相溶性不好。因此难以得到均匀的膜。在相同号公报中，具体公开了将厚度约10μm的感光层([0058])用514.5nm的氩离子激光器进行曝光([0059])的技术。

在日本国特开平11-344917号公报中，公开了在有机-无机杂化基质中含有光活性单体的光记录介质。所述有机无机杂化基质是在金属元素中具有烷基(甲基)或芳基(苯基)。不过，依靠甲基的引入是不能改善杂化基质和光活性单体之间的相溶性。苯基的引入比起甲基的引入能够得到相溶性的改善。但是，因苯基的引入杂化基质前体的固化速度下降(相同号公报[0015])。在相同号公报中，具体公开了将厚度100μm的全息记录层用532nmYAG激光器进行记录(例3，[0031])的技术。

在日本国特开2002-236439号公报中，公开了作为主链构成成分含有将具有乙烯型不饱和双键的有机金属化合物和具有乙烯型不饱和双键的有机单体共聚而成的有机-无机杂化聚合物及/或由其水解缩聚物而成的基质、光聚合型化合物、及光聚合引发剂的全息记录材料。通过向基质材料引入大的有机主链成分来改善基质和光聚合型化合物之间的相溶性。不过，大的有机主链成分的引入可以认为，在基质材料中存在有机主链和无机网状的双成分构造，记录时有可能不显示作为基质的单一的特性，引起记录的不均匀。另外，如果基质中的有机主链成分的比例大，则会产生与使用了有机粘合聚合物的光敏聚合物材料同样的问题。在相同号公报中，具体公开了将厚度20μm的全息记录材料层([0080])用514.5nm的氩离子激光器进行曝光([0081])的技术。

在日本国特开2005-77740号公报中，公开了含有金属氧化物粒子、聚合型单体、和光聚合引发剂，且所述金属氧化物粒子由金属原子结合有疏水基团及与所述金属氧化物粒子表面的羟基可以进行脱水缩合的官能团的表面处理剂进行了表面处理，且所述金属原子从钛、铝、锆及铬中选择的全息记录材料。在相同号公报中具体公开了，作为实施例1，将厚度50μm的全息记录层([0086])用532nm的YAG激光器进行曝光([0089])的技术。

在日本国特开2005-99612号公报中，公开了包含具有一个以上聚合型官能团的化合物、光聚合引发剂、和胶态硅石粒子的全息记录材料。在相同号公报中具体公开了将厚度50μm的全息记录层用532nm的Nd:YVO₄激光器进行了曝光(实施例1，[0036])的技术。

为了解决上述各公报中公开的全息记录材料的问题，在日本国特开2005-321674号公报中，公开了含有，至少具有至少2种金属(Si、Ti)、氧及芳基且具有2个芳基与1个金属(Si)直接结合的有机金属单元的有机金属化合物和光聚合型化合物的全息记录材料。在相同号公报的实施例1(尤其[0074]～[0078])中，公开了具有所述全息记录材料的厚度为100μm的层的全息记录介质，在通过Nb:YAG激光器(532nm)的记录中可以得到高透过率、高折射率变化、低散射及高多重性。

虽然在上述任意一个公报中都公开了关于使用了绿色激光器的全息照相存储器记录，但是没有公开关于蓝色激光器的全息照相存储器记录的使用内容。

发明内容