[发明专利]电光装置及电子设备有效
申请号: | 200710154420.5 | 申请日: | 2007-09-12 |
公开(公告)号: | CN101144949A | 公开(公告)日: | 2008-03-19 |
发明(设计)人: | 中川雅嗣 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/133;G09G3/36;H01L27/12 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 陈海红;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电光 装置 电子设备 | ||
1.一种电光装置,其具有对向配置的一对基板,其特征为,
在上述一对基板的一方的基板,扫描线和数据线交叉形成为矩阵状,并且在上述扫描线和上述数据线的交叉区域设置有晶体管的半导体层,
在上述一对基板的另一方的基板设置有岛状的遮光膜,该遮光膜对上述晶体管进行遮光,与上述半导体层至少一部分在俯视的状态下重合。
2.根据权利要求1所述的电光装置,其特征为:
上述半导体层在上述交叉区域,沿着上述数据线延伸的方向来设置,
上述遮光膜形成为沿上述数据线延伸的方向的岛状。
3.根据权利要求2所述的电光装置,其特征为:
上述半导体层具备沟道区域,在上述沟道区域的上层夹着栅绝缘膜、与上述扫描线电连接的栅电极,在上述交叉区域沿着上述扫描线延伸的方向来设置,该栅绝缘膜在俯视的状态下覆盖上述半导体层,
上述遮光膜在上述交叉区域具备凸部来形成,该凸部沿上述扫描线延伸的方向突出,至少与上述栅电极在俯视的状态下重合。
4.根据权利要求3所述的电光装置,其特征为:
上述凸部的宽度形成为与上述扫描线的线宽度不同的线宽度。
5.根据权利要求4所述的电光装置,其特征为:
上述扫描线作为对上述晶体管进行遮光的、与上述遮光膜不同的上述一方的基板侧遮光膜,来发挥作用。
6.根据权利要求2所述的电光装置,其特征为:
上述遮光膜形成为矩形状。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的电光装置,其特征为:
设置于上述一方的基板、沿上述数据线的、一方电极与固定电位电连接的电容线及上述数据线,作为对上述晶体管进行遮光的、与上述遮光膜不同的上述一方的基板侧遮光膜,来发挥作用。
8.根据权利要求7所述的电光装置,其特征为:
上述遮光膜的宽度形成为与上述数据线及上述电容线的线宽度不同的线宽度。
9.一种电子设备,其具备电光装置,该电光装置具有对向配置的一对基板,其特征为:
在上述一对基板的一方的基板,扫描线和数据线交叉形成为矩阵状,并且在上述扫描线和上述数据线的交叉区域设置有晶体管的半导体层,
在上述一对基板的另一方的基板设置有岛状的遮光膜,该遮光膜对上述晶体管进行遮光,与上述半导体层至少一部分在俯视的状态下重合。
10.一种电光装置,其具有对向配置的一对基板,其特征为,
具备:
数据线,其形成于一方的上述基板;
晶体管,其和上述数据线电连接;
上述晶体管的半导体层,其具备沟道区域、第1源漏区域、第1源漏区域侧的第1LDD区域、第2源漏区域及第2源漏区域侧的第2LDD区域;
下侧遮光膜,其形成于上述半导体层的下层,从下侧对上述第1LDD区域进行遮光;以及
岛状的遮光膜,其形成于另一方的上述基板,从上侧对上述第1LDD区域进行覆盖。
11.根据权利要求10所述的电光装置,其特征为:
具备和上述数据线交叉的扫描线,
上述下侧遮光膜形成为,与上述扫描线在俯视的状态下重合。
12.根据权利要求10所述的电光装置,其特征为:
上述下侧遮光膜是和上述数据线交叉的扫描线。
13.根据权利要求10~12中任一项所述的电光装置,其特征为:
在一方的上述基板的上述晶体管的上层且按上述晶体管的每个,像素电极在俯视的状态下设置成矩阵状,该像素电极对夹持于一方的上述基板和另一方的上述基板之间的电光物质施加驱动电压,
上述第1源漏区域电连接于上述像素电极,并且上述第2源漏区域电连接于上述数据线。
14.根据权利要求10~13中任一项所述的电光装置,其特征为:
上述下侧遮光膜及上述岛状的遮光膜具有2个突出部,该突出部在俯视的状态下沿上述数据线方向突出;
在上述数据线方向上,向上述第1源漏区域侧突出的突出部与向上述第2源漏区域侧突出的突出部相比,在俯视的状态下形成得较宽。
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