[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上方形成第一掩模层；

在所述第一掩模层上方形成第二掩模层；

在所述第二掩模层上方形成光致抗蚀剂图案，其具有第一宽度；

利用所述光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模，并且蚀刻所述第二掩模层；

修整所述光致抗蚀剂图案，以形成修整后的光致抗蚀剂图案，具有第二宽度，其小于所述第一宽度；

利用所述修整后的光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模，并且蚀刻所述第二掩模层以及所述第一掩模层，以形成由所述第一掩模层以及所述第二掩模层构成的叠层掩模；以及

蚀刻所述半导体衬底以形成鳍状物结构，其介于两个沟槽之间。

2.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，还包括：

在形成所述光致抗蚀剂图案之前，在第二掩模层上方形成底部抗反射层。

3.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，还包括：

在所述半导体衬底上方形成第一氧化层；以及

在第一掩模层上方形成第二氧化层。

4.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，还包括：

填入隔离层于所述沟槽之中；

凹蚀所述隔离层，以留下浅沟槽隔离物以及形成凹陷部于所述浅沟槽隔离物的上方；以及

在所述叠层掩模以及所述浅沟槽隔离物上方形成栅极电极，其中所述栅极电极大体上垂直于所述鳍状物结构。

5.如权利要求4所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，还包括：

在凹蚀所述隔离层之前，使用所述叠层掩模为停止层，并平坦化所述隔离层。

6.如权利要求4所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，还包括去除所述叠层掩模的所述第二掩模层。

7.如权利要求4项所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，还包括在凹蚀所述隔离层之后，沿着所述鳍状物结构的侧壁形成栅极介电层。

8.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其中所述第一掩模层以及所述第二掩模层由不同的材料构成。

9.如权利要求4所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其中形成所述栅极电极的步骤包括：

在所述叠层掩模以及所述浅沟槽隔离物上形成金属层；

在所述金属层上形成硬掩模层，其中所述硬掩模层以及所述第一掩模层由不同材料构成；以及

蚀刻所述金属层以形成所述栅极电极。

10.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其中所述修整后的光致抗蚀剂图案由激光修整方式或蚀刻修整方式形成。