[发明专利]包括具有不同相变材料的存储器单元的相变存储器件以及相关方法和系统

权利要求书

1.一种相变存储器件，包括：

集成电路衬底；

在所述集成电路衬底上的第一相变存储元件，其中，所述第一相变存储元件包括具有第一结晶温度的第一相变材料；以及

在所述集成电路衬底上的第二相变存储元件，其中，所述第二相变存储元件包括具有第二结晶温度的第二相变材料，并且其中，所述第一和第二结晶温度不同，以使得可以在不同的温度下对所述第一和第二相变存储元件进行编程。

2.根据权利要求1所述的相变存储器件，其中，所述第二相变存储元件不具有所述第一相变材料。

3.根据权利要求2所述的相变存储器件，其中，所述第一相变存储元件不具有所述第二相变材料。

4.根据权利要求2所述的相变存储器件，其中，所述第一相变存储元件包括所述第一相变材料的第一层和所述第二相变材料的第二层。

5.根据权利要求4所述的相变存储器件，进一步包括：

所述第一相变存储元件中的阻挡层，其中，所述阻挡层在所述第一相变材料的第一层和所述第二相变材料的第二层之间。

6.根据权利要求5所述的相变存储器件，其中，所述阻挡层包括钛和/或氮化钛层。

7.根据权利要求1所述的相变存储器件，其中，所述第一结晶温度至少比所述第二结晶温度高50摄氏度。

8.根据权利要求1所述的相变存储器件，其中，所述第一结晶温度至少比所述第二结晶温度高100摄氏度。

9.根据权利要求1所述的相变存储器件，其中所述第一相变材料从由GaSb、InGaSb₂和/或Ge₁₅Sb₈₅组成的组中进行选择，其中所述第二相变材料从由InSb、InGaSb₂、Ge₁Sb₄Te₇、Ge₁Sb₂Te₄、Ge₂Sb₂Te₅、GeTe和/或Sb₂Te组成的组中进行选择，并且其中所述第一和第二相变材料不同。

10.根据权利要求1所述的相变存储器件，其中，所述第一和第二相变材料包括不同的硫族化合物材料。

11.根据权利要求1所述的相变存储器件，进一步包括：

所述集成电路衬底上的第三相变存储元件，其中，所述第三相变存储元件包括具有第三结晶温度的第三相变材料，并且其中，所述第三结晶温度不同于所述第一和第二结晶温度，以使得可以在不同温度下对所述第一、第二和第三相变存储元件进行编程。

12.根据权利要求1所述的相变存储器件，进一步包括：

第一二极管，与所述第一相变存储元件串联地电连接在第一字线和第一位线之间；以及

第二二极管，与所述第二相变存储元件串联地电连接在第二字线和第二位线之间。

13.根据权利要求1所述的相变存储器件，进一步包括：

第一存储器存取晶体管，其中，所述第一相变存储元件被电连接在第一位线和所述第一存储器存取晶体管的终端之间；以及

第二存储器存取晶体管，其中，所述第二相变存储元件被电连接在第二位线和所述第二存储器存取晶体管的终端之间。

14.根据权利要求1所述的相变存储器件，进一步包括：

二极管，与所述第一相变存储元件串联地电连接在第一字线和第一位线之间；以及

存储器存取晶体管，其中，所述第二相变存储元件被电连接在第二位线和所述存储器存取晶体管的终端之间。

15.根据权利要求1所述的相变存储器件，进一步包括：

电子衬底，被电连接及机械连接到所述集成电路衬底上；以及

处理器，通过所述电子衬底被电连接到所述集成电路衬底。