[发明专利]曲面压电晶片研磨装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种对曲面压电晶片进行研磨的曲面压电晶片研磨装置，尤其是涉及一种对曲面压电晶片的研磨进度进行自动控制的曲面压电晶片研磨装置。

背景技术

曲面压电晶片在电子设备中的使用范围越来越广，曲面压电晶片制作工序是将石英晶片进行切割至要求的角度，并根据所需晶片的外形要求加工至指定的直径，然后根据所需晶片的频率要求进行研磨至指定的厚度(厚度和频率成反比)，再进行电极涂层。

在目前的平面晶片厚度双面研磨工艺中，有一种石英晶片研磨控制仪(ALC)，可以用来实时控制被研磨晶片的实际厚度或频率。在使用中，这种石英晶片研磨控制仪(ALC)的探头的上电极端连接研磨机的上研磨盘、下电极端连接下磨盘、接地极接地，研磨时先通过晶片的目标厚度计算出目标频率，将目标频率在石英晶片研磨控制仪(ALC)中设定，在研磨过程中不断有相应的频率传送至石英晶片研磨控制仪(ALC)，当通过上下电极端传送至石英晶片研磨控制仪(ALC)的频率达到目标频率时，石英晶片研磨控制仪(ALC)就自动控制研磨机停止研磨，此时被加工工件晶片的厚度即为目标厚度。

在现有的曲面压电晶片厚度研磨工艺中，是将已加工至指定角度和直径的石英晶片粘贴在晶片托架上，晶片托架通过自重将粘贴在其上的晶片向下磨盘推压，随着下磨盘的轴向转动，晶片托架带着晶片在下磨盘的工作面上作不规则的随机转动，从而达到研磨晶片的目的(见图1、图2)，在研磨到大致的厚度时，停止机械研磨，将研磨后的晶片取下，测量其厚度，然后进入手工研磨阶段，将晶片手工研磨至所要求的厚度。由于现有的研磨过程分为机械研磨和手工研磨两个阶段，尽管其机械研磨阶段研磨的晶片量较大，但是由于其每一片晶片均需经过手工研磨阶段，不仅导致研磨的质量不稳定，同时也导致晶片的整体产量不高，效率低下，操作工的劳动强度高。

发明内容

本发明主要是解决现有技术所存在的曲面压电晶片研磨质量不稳定的技术问题，提供一种研磨质量稳定的曲面压电晶片研磨装置。

本发明同时还解决现有技术所存在的曲面压电晶片整体产量不高，效率低下，操作工的劳动强度高等的技术问题，提供一种曲面压电晶片整体产量高、效率高且大大降低操作工的劳动强度的曲面压电晶片研磨装置。

本发明的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：本发明包括下磨盘1，晶片托架2，晶片研磨控制仪8，下磨盘1和晶片托架2为导电金属制作而成，下磨盘1连接晶片研磨控制仪8的探头的下电极端，晶片托架2连接晶片研磨控制仪8的探头的上电极端，晶片研磨控制仪8的探头的接地极接地。

作为优选，本发明还包括上电极5和在上电极5外壁上的绝缘防护层6，晶片托架2的中心有一个通透的直径略大于晶片3的直径的轴向中心孔4，上电极5和绝缘防护层6插入轴向中心空4中，晶片研磨控制仪8的探头的上电极端与上电极5连接。

作为优选，上电极5使用铜制作而成，下磨盘1使用铸铁制成，晶片托架2使用铁制成。

作为优选，轴向中心孔4的直径略大于绝缘防护层6的直径。

作为优选，绝缘防护层6是绝缘护套。

作为优选，还包括在绝缘防护层6外壁上的金属防护层7，轴向中心孔4的直径略大于金属防护层7的直径。

作为优选，金属防护层7为金属护套。

作为优选，：金属防护层7所使用的材料是铁。

因此，本发明具有结构合理，思路独特等特点，通过在晶片研磨装置中加入晶片研磨控制仪，有效地控制了晶片研磨的质量，尤其是为曲面压电晶片的研磨提供了一种不仅能有效提高质量的稳定性，提高合格产品的产量，也能够有效降低操作工劳动强度的曲面压电晶片的研磨装置。

附图说明

附图1是现有技术的一种结构示意图；

附图2是附图1的A向视图；

附图3是本发明的一种结构示意图；

附图4是附图3的B向视图；

附图5是本发明的另一种结构示意图；

附图6是附图5的C向视图；

附图7是本发明的第三种结构示意图；

附图8是附图7的D向视图；

具体实施方式

下面通过实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步具体的说明。

实施例1：参见图3、图4，本发明包括下磨盘1，晶片托架2，晶片研磨控制仪8，下磨盘1使用铸铁制成，晶片托架2使用铁制作而成，下磨盘1连接晶片研磨控制仪(ALC)8的探头的下电极端，晶片托架2连接晶片研磨控制仪(ALC)8的探头的上电极端，晶片研磨控制仪(ALC)8的探头的接地极接地。