[发明专利]有透明导电镍酸锂底电极的外延铌酸锶钡薄膜及制备方法无效
| 申请号： | 200710156478.3 | 申请日： | 2007-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN101169524A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 杜丕一;李晓婷;麦炽良;黄健洪;翁文剑;韩高荣;赵高凌;沈鸽;徐刚;张溪文 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G02F1/035 | 分类号： | G02F1/035;G02F1/03 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明 导电 镍酸锂底 电极 外延 铌酸锶钡 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种具有透明导电镍酸锂底电极的外延铌酸锶钡薄膜，其特征在于：
在MgO基板(1)一面外延沉积LNO镍酸锂透明导电层LNO薄膜(2)，再在LNO薄膜(2)上外延制备SBN薄膜(3)。
2.根据权利要求1所述的一种具有透明导电镍酸锂底电极的外延铌酸锶钡薄膜，其特征在于：所述的LNO薄膜(2)的透过率在30％～60％，电导率介于2×10-3～3×10-3Ωm。
3.一种具有透明导电镍酸锂底电极的外延铌酸锶钡薄膜的制备方法，其特征在于该方法的步骤如下：
1)以碳酸锂和氧化镍为原料，按质量百分含量为10％～20％的碳酸锂与80％～90％的氧化镍混合后，研磨3～5小时，以压力为2～10MPa压制成型，并在空气中烧结，烧结温度范围为800～900℃，升温速率控制范围为100～600℃/h，保温时间控制在1～3h，降到室温后得到镍酸锂靶材；
2)以碳酸锶、碳酸钡和氧化铌为原料，按质量百分含量为25％～30％的碳酸锶，与10％～30％的碳酸钡与45％～60％氧化铌混合后，研磨3～5小时，以压力为2～10MPa压制成型，并在空气中烧结，烧结温度范围为900～1100℃，升温速率控制范围为100～600℃/h，保温时间控制在1～3h，降到室温后得到铌酸锶钡靶材；
4)采用上述已制备的镍酸锂靶材，利用脉冲激光沉积法，在(001)MgO基板上外延沉积镍酸锂薄膜，沉积温度范围为500～600℃；
5)采用已制备的铌酸锶钡靶材，利用脉冲激光沉积法，在外延沉积有镍酸锂电极层的(001)MgO基板上继续外延沉积铌酸锶钡薄膜，沉积温度范围为800～1000℃。
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