[发明专利]一种发光二极管用芯片无效
申请号: | 200710156856.8 | 申请日: | 2007-11-21 |
公开(公告)号: | CN101320770A | 公开(公告)日: | 2008-12-10 |
发明(设计)人: | 王元成;王丽娜 | 申请(专利权)人: | 王元成 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 杭州丰禾专利事务所有限公司 | 代理人: | 王晓峰 |
地址: | 322200浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发光 二极 管用 芯片 | ||
技术领域
本发明涉及发光二极管领域,尤其涉及一种发光二极管用的芯片。
背景技术
能源短缺是当今世界的热门话题,在照明行业中,发光二极管(LED)因为它的高效、节能、环保、长寿命等多种优点,是取代能耗高,寿命短的传统照明的首选,但因为现今的LED技术瓶颈,取代传统照明尚需克服一些与LED正常工作有关的技术难题。最重要的就是LED的发光效率,发光效率主要是由LED的芯片决定的。
现有技术中的芯片其形状是正方形的,工作时的散热效果比较差,芯片的工作寿命较短。芯片中金线的P结(阳极)和N结(阴极)是通过焊接连起来的,其焊接面积一般在0.120-0.130nm2之间,电流在通过时此处时会过高的温度,从而降低了LED的使用寿命。
发明内容
为了解决上述发光二极管用芯片存在的技术问题,本发明的目的是提供一种发光效率高的发光二极管用芯片。
为了实现上述的目的,本发明采用了以下的技术方案:
一种发光二极管用芯片,其特征在于所述芯片呈长方形,其长宽比例为1.12∶1;芯片中金线的P结和N结的焊接面积在0.131-0.145nm2之间。
本发明的芯片长宽比例为1.12∶1,改变传统芯片长宽相等的形状,该芯片能加速芯片在工作时的散热,保证芯片的工作寿命同光衰。P结和N结的焊接面积在0.131-0.145nm2之间,焊接面积更大,使得电流在通过时不致于产于过高的温度,保证LED的使用寿命。
具体实施方式
一种发光二极管用芯片,芯片呈长方形,其长宽比例为1.12∶1。芯片中金线的P结和N结的焊接面积0.131-0.145nm2之间。使用上述芯片,在30ma的情况下工作,本发明的芯片工作温度为70摄氏度,光通量为100-110LM/W,现有的普通芯片工作温度为120摄氏度,光通量为50-60LM/W。
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