[发明专利]一种发光二极管用芯片无效

专利信息
申请号: 200710156856.8 申请日: 2007-11-21
公开(公告)号: CN101320770A 公开(公告)日: 2008-12-10
发明(设计)人: 王元成;王丽娜 申请(专利权)人: 王元成
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 杭州丰禾专利事务所有限公司 代理人: 王晓峰
地址: 322200浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 发光 二极 管用 芯片
【说明书】:

技术领域

发明涉及发光二极管领域,尤其涉及一种发光二极管用的芯片。

背景技术

能源短缺是当今世界的热门话题,在照明行业中,发光二极管(LED)因为它的高效、节能、环保、长寿命等多种优点,是取代能耗高,寿命短的传统照明的首选,但因为现今的LED技术瓶颈,取代传统照明尚需克服一些与LED正常工作有关的技术难题。最重要的就是LED的发光效率,发光效率主要是由LED的芯片决定的。

现有技术中的芯片其形状是正方形的,工作时的散热效果比较差,芯片的工作寿命较短。芯片中金线的P结(阳极)和N结(阴极)是通过焊接连起来的,其焊接面积一般在0.120-0.130nm2之间,电流在通过时此处时会过高的温度,从而降低了LED的使用寿命。

发明内容

为了解决上述发光二极管用芯片存在的技术问题,本发明的目的是提供一种发光效率高的发光二极管用芯片。

为了实现上述的目的,本发明采用了以下的技术方案:

一种发光二极管用芯片,其特征在于所述芯片呈长方形,其长宽比例为1.12∶1;芯片中金线的P结和N结的焊接面积在0.131-0.145nm2之间。

本发明的芯片长宽比例为1.12∶1,改变传统芯片长宽相等的形状,该芯片能加速芯片在工作时的散热,保证芯片的工作寿命同光衰。P结和N结的焊接面积在0.131-0.145nm2之间,焊接面积更大,使得电流在通过时不致于产于过高的温度,保证LED的使用寿命。

具体实施方式

一种发光二极管用芯片,芯片呈长方形,其长宽比例为1.12∶1。芯片中金线的P结和N结的焊接面积0.131-0.145nm2之间。使用上述芯片,在30ma的情况下工作,本发明的芯片工作温度为70摄氏度,光通量为100-110LM/W,现有的普通芯片工作温度为120摄氏度,光通量为50-60LM/W。

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