[发明专利]一种低银铜基电接触材料无效
申请号: | 200710158120.4 | 申请日: | 2007-11-15 |
公开(公告)号: | CN101436469A | 公开(公告)日: | 2009-05-20 |
发明(设计)人: | 杨军 | 申请(专利权)人: | 杨军 |
主分类号: | H01H1/025 | 分类号: | H01H1/025;C22C9/00 |
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地址: | 110179辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低银铜基电 接触 材料 | ||
所属技术领域
本发明涉及一种电接触材料,特别涉及一种低银铜基电接触材料,属于电工材料技术领域。
背景技术
电触头是中低压电器的关键元件之一,目前,电接触元件制造材料以银基电接触材料为主,主要有银一金属氧化物、银基假合金、银基合金三大类。银具有高导电性、高导热性和良好的机械加工性,在大气条件下不氧化,能保持低而稳定的接触电阻等性质。但是银是昂贵的贵金属,资源紧缺,而在银基电接触材料中含银量高达60—95%,是电器工业中耗银量最大的地方。近几年来银价上涨迅猛,给电器制造业带来很大压力。为了降低成本,减少银的消耗量,研究开发价格便宜,性能可靠的电接触材料具有重要意义。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的上述不足,对现有银基电接触材料的组成做了改进,给出了一种低银铜基电接触材料,该铜基电接触材料的电阻率低、导热和导电性好、触头接触电阻小而稳定、抗氧化能力强,具有优异的抗电烧蚀和抗熔焊能力,并且大幅度降低了银的用量,可节约大量贵重金属。
本发明给出的技术解决方案是:这种低银铜基电接触材料,其特点是还包括有稀土元素铈,其化学成分(重量%)为:
银10~20%,导电陶瓷1~15%,氧化镓1~10%,氧化铟1~10%,氧化镍1~5%,铜余量.
其中导电陶瓷的组成与现有技术的相同。
本发明给出的这种低银铜基电接触材料的制备方法,可由含上述组分的中间合金熔炼制成,对所采用的生产方法无特别限制。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:电阻率低、导热和导电性好、触头接触电阻小而稳定、抗氧化能力强,具有优异的抗电烧蚀和抗熔焊能力,并且大幅度降低了银的用量,可节约大量贵重金属。
具体实施方式
实施例:
采用感应炉法冶炼产出的低银铜基电接触材料的化学成分(重量%)为:
银15%,导电陶瓷8%,氧化镓5%,氧化铟5%,
氧化镍2.5%,铜余量.
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