[发明专利]多芯片闪存器件及其复录方法

说明书

优先权声明

本申请要求于2006年10月3日提交的韩国专利申请第2006-97467号的优先权，在此引入其内容以供参考。

技术领域

这里公开的示例实施例涉及存储器件(例如闪存器件)，以及例如涉及多芯片闪存器件及其复录(copy back)方法。

背景技术

近年，易失性和非易失性存储器的应用正越来越多地用于移动装置(例如MP3播放器、个人多媒体播放器(PMP)、移动电话、笔记本电脑、个人数字助理(PDA)等等)。这样的移动装置可能需要具有较大存储容量的存储单元以便提供各种功能(例如，播放运动图像)。为了满足该需求，存在其中在单个封装中构建多个存储设备的多位封装的方案。多芯片可封装通过堆叠相同种类的存储芯片有助于将封装尺寸减少常规封装类型的一半。多芯片闪存器件可由两个或更多个使用互相不同的各自的芯片选择信号的芯片组成。多芯片闪存器件也可以由共享同一芯片选择信号的多个芯片构建。

图1是示意性地示出在常规双芯片闪存器件中用于复录的示例结构的框图。参考图1，两个存储芯片10和20中的每个可以包括由页形成的单元阵列，每个单元阵列可以是编程和读取的单元。每个存储芯片可以包括在编程操作期间作为写驱动器或在读取操作期间作为感测放大器的页缓冲器PB1和PB2。存储芯片10和20可以共享芯片选择信号CS、读使能信号nRE和/或写使能信号nWE。存储芯片10和20也可以共享输入/输出(I/O)总线30。

图2是示意性示出在图1所示的常规闪存器件中的芯片内复录操作的时序图。复录操作的序列对应图1的附图标记①∽⑧。参考图2，页缓冲器PB1可从源页页1读取源数据以用于复录操作(①)。可通过由芯片共享的输入/输出总线30向存储控制器40提供读取的源数据(②)。用于复录的读取的源数据可被存储在包括在存储控制器40中的SRAM中。可通过使用纠错码(ECC)的算法纠正存储在SRAM中的源数据。存储控制器40可将读取的源数据再输入到第一存储芯片10中并加载到页缓冲器PB1中(③)以便将读取的源数据编程到目标页页2中。加载到页缓冲器PB1中的所加载的源数据可被编程到目标页页2中(④)。通过存储控制器40进行的状态检测操作来检测编程操作的完成。在第一存储芯片10内执行的芯片内的页间复录操作也可以应用于第二芯片20(⑤∽⑧)。

图3和4是用于解释在常规双芯片闪存器件中的芯片间复录操作的框图和时序图。图3示出具有与图1相同的结构和功能的双芯片闪存器件，其中执行复录操作以便源页被分配到第一存储芯片10中，而目标页被分配到第二存储芯片20中。通过①∽⑧的过程可以读出、传送和/或编程复录的源数据。将参考图4所示的时序图描述图3的操作。对于从源页页1到目标页页3的复录操作，页缓冲器PB1可从源页页1读取源数据(①)。可通过由芯片共享的输入/输出总线30将读取的源数据传送到存储控制器40(②)。由存储控制器40使用纠错处理的源数据可借助输入/输出总线20和第二存储芯片的输入/输出线I/O_2而输入到页缓冲器PB2中(③)。页缓冲器PB2可将源数据编程到目标页页3中(④)。可通过与①∽④的过程相同的过程⑤∽⑧执行从源页页2到目标页页4的复录操作。

根据芯片的页之间和芯片之间的这种复录操作，顺序执行从源页读取源数据的操作和将数据写入目标页的操作。在芯片共享输入/输出总线30时，顺序地读取和编程操作能在输入/输出源数据时避免数据冲突。

发明内容

示例实施例可提供一种用于提高多芯片存储器件(例如多芯片闪存器件)的操作速度的复录方法。

示例实施例可提供一种能通过共享输入/输出总线和/或控制引脚进行较高频率的复录操作的多芯片闪存器件。

示例实施例可提供一种在具有第一存储芯片和第二存储芯片的多芯片闪存器件中复录数据的方法，所述方法包括：从存储芯片之一的第一源区域读取第一源数据，将所述第一源数据编程到包括在存储芯片之一中的目标区域中，以及从不同于包括目标区域的存储芯片的其他存储芯片的第二源区域读取第二源数据。可在编程第一源数据时执行读取第二源数据的操作。

在示例实施例中，当第一源区域和目标区域包括在第一存储芯片中时，第二源区域可包括在第二存储芯片中。

在示例实施例中，准备第一源数据可包括检测第一源数据是否已经被编程到目标区域中。

在示例实施例中，当第一源区域包括在第一存储芯片中以及目标区域包括在第二存储芯片中时，第二源区域可包括在第一存储芯片中。