[发明专利]用于编程多层非易失性存储装置的方法

权利要求书

1.一种用于编程包括标识单元和多个多位存储单元的多层非易失性存储器的方法，该多个多位存储单元的每一个用于存储由最低有效位(LSB)和最高有效位(MSB)代表的数据，所述方法包括：

使用LSB数据编程该存储单元，使得编程过的存储单元具有大于VR1的阈值电压；

修改该编程过的存储单元的该阈值电压，使得当期望该存储单元存储第三或第四值时，每一个该编程过的存储单元都具有大于VR2的阈值电压；

使用MSB数据编程存储单元，使得每一个存储单元：

当期望该存储单元存储第一值时，具有小于电压VR1的阈值电压；

当期望该存储单元存储第二值时，具有大于电压VR1且小于电压VR2的阈值电压；

当期望该存储单元存储第三值时，具有大于电压VR2且小于电压VR3的阈值电压；和

当期望该存储单元存储第四值时，具有大于电压VR3的阈值电压，其中VR1＜VR2＜VR3，其中标识单元被编程以显示MSB数据是否已经被编程。

2.如权利要求1所述的方法，还包括编程该标识单元使其具有大于VR3的阈值电压，以指示已经编程过该存储单元的MSB数据。

3.如权利要求1所述的方法，其中编程该标识单元的步骤发生在修改该编程过的存储单元的阈值电压的步骤之后。

4.如权利要求3所述的方法，其中使用MSB数据编程该存储单元与该标识单元的编程同时开始。

5.如权利要求1所述的方法，其中该标识单元的编程发生在该修改步骤之后，并且该MSB数据的编程发生在该标识单元的编程之后。

6.如权利要求1所述的方法，其中该多层非易失性存储器是闪存。

7.如权利要求6所述的方法，其中该多层非易失性存储器是NAND闪存。

8.如权利要求1所述的方法，其中该LSB数据的编程和该MSB数据的编程均包括实现增量步进脉冲编程。

9.如权利要求1所述的方法，其中修改该编程过的存储单元的阈值电压包括实现增量步进脉冲编程。

10.如权利要求1所述的方法，还包括当该标识单元显示存在编程过的MSB数据时，先在VR1、然后在VR2、然后在VR3读取MSB数据。

11.如权利要求10所述的方法，其中在VR1读取该标识单元。

12.如权利要求10所述的方法，其中在VR2读取该标识单元。

13.如权利要求1所述的方法，其中：

VR1大约等于0伏特；

VR2在大约1到2伏特的范围内；并且

VR3在大约2.5到3.5伏特的范围内。

14.一种用于根据用于编程包括至少一个标识单元和多个多位存储单元的多层非易失性存储器的方法来控制存储器的控制器，该多个多位存储单元的每一个用于存储由最低有效位(LSB)和最高有效位(MSB)代表的数据，所述方法包括：

使用LSB数据编程该存储单元，使得该编程过的存储单元具有大于VR1的阈值电压；

修改该编程过的存储单元的该阈值电压，使得当期望该存储单元存储第三或第四值时，每一个该编程过的存储单元具有大于VR2的阈值电压；

使用MSB数据编程该存储单元，使得每一个存储单元：

当期望该存储单元存储第一值时，具有小于电压VR1的阈值电压；

当期望该存储单元存储第二值时，具有大于电压VR1且小于电压VR2的阈值电压；

当期望该存储单元存储第三值时，具有大于电压VR2且小于电压VR3的阈值电压；

当期望该存储单元存储第四值时，具有大于电压VR3的阈值电压，其中VR1＜VR2＜VR3，其中标识单元被编程以显示MSB数据是否已经被编程。

15.如权利要求14所述的控制器，其中所述方法还包括编程该标识单元以指示已经编程过该存储单元的MSB数据。

16.如权利要求15所述的控制器，其中该标识单元的编程步骤发生在修改该编程过的存储单元的阈值电压的步骤之后。

17.如权利要求16所述的控制器，其中使用MSB数据编程该存储单元与该标识单元的编程同时开始。