[发明专利]图像检测器以及放射线检测系统

权利要求书

1.一种图像检测器，具备：

并列配置的多个扫描布线；

与该扫描布线交叉设置，并且与形成有该扫描布线的金属层隔着绝缘膜，由不同的金属层所形成的多个数据布线；

以矩阵状设置的薄膜晶体管，其与上述扫描布线和上述数据布线连接；

以矩阵状设置的传感部，其与该薄膜晶体管连接，并且具有在被照射电磁波时产生电荷的半导体膜；和

多个公共布线，其为了向上述以矩阵状设置的传感部共同施加偏压电压而设置，相对于上述传感部的半导体膜位于更下层，且与形成有上述扫描布线的金属层和形成有上述数据布线的金属层隔着绝缘膜，由不同的金属层所形成。

2.根据权利要求1所述的图像检测器，其特征在于，

上述公共布线与上述数据布线并行配置。

3.根据权利要求1所述的图像检测器，其特征在于，

上述公共布线在形成有上述薄膜晶体管的源电极和漏电极的金属层形成。

4.根据权利要求1所述的图像检测器，其特征在于，

上述传感部各自具有蓄积电容，该蓄积电容蓄积因被照射电磁波而在上述半导体膜产生的电荷；

上述公共布线与上述蓄积电容连接。

5.根据权利要求1所述的图像检测器，其特征在于，

上述传感部各自具有偏压电极，该偏压电极向上述半导体膜施加偏压电压；

上述公共布线与上述偏压电极连接。

6.根据权利要求1所述的图像检测器，其特征在于，

上述数据布线配置在绝缘膜上，该绝缘膜设置在形成有上述薄膜晶体管的源电极和漏电极的金属层上。

7.根据权利要求4所述的图像检测器，其特征在于，

还包括：

基板；

第一金属层，其形成上述扫描布线和上述薄膜晶体管的栅电极；

单层或多层的第一绝缘膜；

第二金属层，其形成上述薄膜晶体管的源电极、漏电极、上述蓄积电容下部电极和上述公共布线；

单层或多层的第二绝缘膜；

第三金属层，其形成上述数据布线和上述蓄积电容上部电极；

单层或多层的第三绝缘膜；

第四金属层，其形成将上述电荷收集到上述蓄积电容的电荷收集电极；

半导体膜，其在被照射电磁波时产生上述电荷；和

偏压电极，其向上述半导体膜施加偏压电压；

并且，上述的部件按照上述顺序被层叠。

8.根据权利要求7所述的图像检测器，其特征在于，

在上述数据布线与上述扫描布线之间层叠有上述第一绝缘膜、半导体膜、上述第二绝缘膜。

9.根据权利要求7所述的图像检测器，其特征在于，

上述蓄积电容上部电极隔着上述第二绝缘膜，配置在上述薄膜晶体管的上部。

10.根据权利要求7所述的图像检测器，其特征在于，

上述数据布线延伸至上述薄膜晶体管的上部。

11.根据权利要求7所述的图像检测器，其特征在于，

上述第二绝缘膜的膜厚比上述第一绝缘膜的膜厚更厚。

12.根据权利要求7所述的图像检测器，其特征在于，

上述第二绝缘膜的介电常数比上述第一绝缘膜的介电常数更低。

13.一种放射线检测系统，具备：

权利要求1所述的图像检测器；

信号处理部，其处理从上述图像检测器输出的信号；

存储部，其存储从上述信号处理部输出的处理完成信号；

显示部，其根据从上述信号处理部输出的处理完成信号，显示图像；和

放射线源，其向上述图像检测器射出放射线。