[发明专利]利用磁畴壁的移动的信息存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种信息存储装置，包括：

写磁层，具有至少一个磁畴壁；

至少一个叠置结构，形成在写磁层上，所述至少一个叠置结构的每个包括依次叠置的至少一个连接磁层和至少一个信息存储磁层；

读取器，用于读取存储在信息存储磁层中的信息。

2.如权利要求1所述的信息存储装置，其中，写磁层和信息存储磁层是条状的。

3.如权利要求1所述的信息存储装置，其中，写磁层被布置为垂直于信息存储磁层。

4.如权利要求1所述的信息存储装置，其中，写磁层被布置为平行于信息存储磁层。

5.如权利要求1所述的信息存储装置，其中，所述至少一个叠置结构包括形成在写磁层上的多个叠置结构。

6.如权利要求5所述的信息存储装置，其中，所述至少一个叠置结构包括交替叠置的多个连接磁层和多个信息存储磁层。

7.如权利要求5所述的信息存储装置，其中，所述至少一个叠置结构的每个都被布置为垂直于写磁层。

8.如权利要求1所述的信息存储装置，其中，所述至少一个叠置结构包括交替叠置的多个连接磁层和多个信息存储磁层，多个信息存储磁层的每个具有不同的长度。

9.如权利要求8所述的信息存储装置，其中，所述多个磁层中最上面的信息存储磁层的长度大于所述多个信息存储磁层的至少一个其它层。

10.如权利要求9所述的信息存储装置，其中，所述多个信息存储磁层的长度从最上面的信息存储磁层朝着写磁层逐渐减小。

11.如权利要求1所述的信息存储装置，其中，写磁层的磁各向异性能为2×10³至10⁷J/m³，包括该数值范围的两个端点。

12.如权利要求1所述的信息存储装置，其中，写磁层由CoPt、FePt或者它们的合金形成。

13.如权利要求1所述的信息存储装置，其中，连接磁层的磁各向异性能为10至10³J/m³，包括该数值范围的两个端点。

14.如权利要求1所述的信息存储装置，其中，连接磁层由Ni、Co、NiCo、NiFe、CoFe、CoZrNb、CoZrCr以及它们的合金中的一种形成。

15.如权利要求1所述的信息存储装置，其中，信息存储磁层的磁各向异性能为2×10³至10⁷J/m³，包括该数值范围的两个端点。

16.如权利要求1所述的信息存储装置，其中，信息存储磁层由CoPt、FePt或者它们的合金形成。

17.如权利要求1所述的信息存储装置，其中，信息存储磁层的第一区的磁各向异性能小于信息存储磁层的第二区的磁各向异性能，其中，第一区与连接磁层接触，第二区是信息存储磁层的除第一区以外的剩余部分。

18.如权利要求17所述的信息存储装置，其中，第一区的磁各向异性能K1满足0≤K1≤10⁷J/m³，第二区的磁各向异性能K2满足2×10³≤K2≤10⁷J/m³。

19.如权利要求17所述的信息存储装置，其中，第一区掺杂有杂质离子。

20.如权利要求19所述的信息存储装置，其中，杂质离子包括He⁺和Ga⁺的至少一种。

21.如权利要求1所述的信息存储装置，其中，读取器是形成在写磁层和所述至少一个信息存储磁层中的一个上的磁致电阻传感器。

22.如权利要求1所述的信息存储装置，其中，写磁层被布置在所述至少一个叠置结构的端部。

23.如权利要求1所述的信息存储装置，其中，写磁层被布置在所述至少一个叠置结构的中部。