[发明专利]相变存储器与相变存储器的控制方法无效

专利信息
申请号: 200710159854.4 申请日: 2007-12-25
公开(公告)号: CN101471130A 公开(公告)日: 2009-07-01
发明(设计)人: 林烈萩;许世玄;江培嘉;林文斌 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
主分类号: G11C11/56 分类号: G11C11/56
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 蒲迈文
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 相变 存储器 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种相变存储器,包括:

一电流源,提供一输入电流;

一第一相变储存单元,耦接该电流源;

一第二相变储存单元,与该第一相变储存单元串接于一第一节点;

一第一开关,耦接该第一节点,以提供一第一电流路径供该输入电流流经该第一相变储存单元而不流经该第二相变储存单元;

一第二开关,串接该第二相变储存单元,以提供一第二电流路径供该输入电流流经该第一与第二相变储存单元;以及

一控制模块,控制该第一、第二开关、与该输入电流,以令不同数据储存于该第一与第二相变储存单元时,该第一与第二相变储存单元具有不同的电阻和。

2.如权利要求1所述的相变存储器,其中该控制模块将不导通该第一开关、导通该第二开关、并且令该输入电流等于一读取值,以得到该第一与第二相变储存单元的一压降和。

3.如权利要求2所述的相变存储器,还包括多个比较器,用以比较该压降和与多个参考电平,以判断该第一与第二相变储存单元所储存的数据。

4.如权利要求2所述的相变存储器,其中该第一与该第二相变储存单元具有不同的制程参数。

5.一种相变存储器的控制方法,包括:

提供该相变存储器,其中该相变存储器包括:

一电流源,提供一输入电流;

一第一相变储存单元,耦接该电流源;

一第二相变储存单元,与该第一相变储存单元串接于一第一节点;

一第一开关,耦接该第一节点,以提供一第一电流路径供该输入电流流经该第一相变储存单元而不流经该第二相变储存单元;以及

一第二开关,串接该第二相变储存单元,以提供一第二电流路径供该输入电流流经该第一与第二相变储存单元;以及

通过控制该第一、第二开关、与该输入电流,储存数据至该第一与第二相变储存单元并且令该第一与第二相变储存单元在储存不同数据时具有不同的电阻和。

6.如权利要求5所述的相变存储器的控制方法,其中还包括不导通该第一开关、导通该第二开关、并且令该输入电流等于一读取值,以得到该第一与第二相变储存单元的一压降和。

7.如权利要求6所述的相变存储器的控制方法,还包括比较该压降和与多个参考电平,以判断该第一与第二相变储存单元所储存的数据。

8.如权利要求5所述的相变存储器的控制方法,其中上述储存数据的步骤还包括不导通该第一开关并且导通该第二开关,以储存相同的位值至该第一与第二相变储存单元。

9.如权利要求5所述的相变存储器的控制方法,其中上述储存数据的步骤还包括在一第一时间区段不导通该第一开关、导通该第二开关,在一第二时间区段导通该第一开关、不导通该第一开关,以在该第一与第二时间区段将不同的位值分别储存至该第一与第二相变储存单元。

10.如权利要求5所述的相变存储器的控制方法,其中上述储存数据的步骤还包括令上述第一与第二相变储存单元在储存不等位值时需要不同的设定模式时间长度。

11.如权利要求5所述的相变存储器的控制方法,其中上述储存数据的步骤还包括令上述第一与第二相变储存单元在储存不等位值时需要不同的设定模式电流。

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