[发明专利]半导体装置以及其驱动方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

从电波所生成的交流电压生成直流电压的电源生成电路；

从所述交流电压抽出数据的解调电路；

存储器；

对所述直流电压进行升压且将该被升过压的直流电压供给到所述存储器的升压电路；以及

在检测到数据的指令完成信号后将所述升压电路控制为对所述直流电压进行升压的升压控制部。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其还包括从所述电波生成所述交流电压的天线电路。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述存储器包括EEPROM或者快闪存储器。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述升压控制部包括薄膜晶体管。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其还包括：

辅助所述直流电压的蓄电器；以及

控制所述蓄电器的充电控制电路。

6.一种半导体装置，包括：

从电波所生成的交流电压生成直流电压的电源生成电路；

从所述交流电压抽出数据的解调电路；

存储器；

对所述直流电压进行升压且将该被升过压的直流电压供给到所述存储器的升压电路；

升压控制部，该升压控制部包括：

指令完成识别电路，该指令完成识别电路根据所述数据的指令完成信号生成开始所述升压的第一信息；

升压时间控制电路，该升压时间控制电路根据所述数据的写入信号生成控制将所述被升过压的直流电压供给到所述存储器的时间的第二信息；以及

升压可能识别电路，该升压可能识别电路在检测到所述数据的所述指令完成信号后根据所述第一信息和所述第二信息将所述升压电路控制为对所述直流电压进行升压。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其还包括从所述电波生成所述交流电压的天线电路。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述存储器包括EEPROM或者快闪存储器。

9.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述升压控制部包括薄膜晶体管。

10.根据权利要求6所述的半导体装置，其还包括：

辅助所述直流电压的蓄电器；以及

控制所述蓄电器的充电控制电路。

11.一种半导体装置，包括：

从电波所生成的交流电压生成直流电压的电源生成电路；

从所述交流电压抽出数据的解调电路；

存储器；

包括第一薄膜晶体管且从所述解调电路接收所述数据的逻辑电路；

对所述直流电压进行升压且将该被升过压的直流电压供给到所述存储器的升压电路；

升压控制部，该升压控制部包括：

指令完成识别电路，该指令完成识别电路根据来自所述逻辑电路的所述数据的指令完成信号生成开始所述升压的第一信息；

升压时间控制电路，该升压时间控制电路根据来自所述逻辑电路的所述数据的写入信号生成控制将所述被升过压的直流电压供给到所述存储器的时间的第二信息；以及

升压可能识别电路，该升压可能识别电路在检测到来自所述逻辑电路的所述数据的所述指令完成信号后根据所述第一信息和所述第二信息将所述升压电路控制为对所述直流电压进行升压。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其还包括从所述电波生成所述交流电压的天线电路。

13.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述存储器包括EEPROM或者快闪存储器。

14.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述升压控制部包括第二薄膜晶体管。

15.根据权利要求11所述的半导体装置，其还包括：

辅助所述直流电压的蓄电器；以及

控制所述蓄电器的充电控制电路。

16.一种半导体装置的驱动方法，包括如下步骤：

从电波所生成的交流电压生成直流电压；

从所述交流电压抽出数据；

在检测到所述数据的指令完成信号后对所述直流电压进行升压；以及

将所述被升过压的直流电压供给到存储器。