[发明专利]一种氧化锌基稀磁半导体材料及其制备方法

权利要求书

1.一种纳米添加氧化锌基稀磁半导体材料，其特征在于由重量比为1∶8～10的氧化锌基稀磁半导体材料和纳米添加物混合而成，氧化锌基稀磁半导体材料的分子结构式为Zn_1-xTM_xO，TM代表过渡金属元素Fe、Co、Ni、Mn，其浓度为x＝0～10％，纳米添加物为纳米SiO₂或纳米C，纳米SiO₂或纳米C的颗粒大小为20～30nm。

2.一种如权利要求1所述纳米添加氧化锌基稀磁半导体材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)将摩尔百分比为1-x∶x的乙酸锌、过渡金属盐分别溶入乙二醇甲醚中，并加入与金属阳离子等摩尔的乙醇胺作为稳定剂，配置溶液的浓度为0.5～0.7mol/L，然后加入与金属阳离子等摩尔的乙醇胺，在室温下搅拌至完全溶解后，继续搅拌12～15小时，然后静置陈化24～36小时，得到透明、均匀的溶胶；

2)将溶胶在100～120℃真空干燥箱内烘12～18小时，得到凝胶；

3)将凝胶在300～350℃下热处理3～5小时，得到氧化锌基稀磁半导体多晶粉末；

4)将得到的氧化锌基稀磁半导体多晶粉末与纳米添加物混合研磨2～3小时；

5)将研磨后的混合粉末在400～450℃下热处理1～2小时，得到纳米添加氧化锌基稀磁半导体材料。