[发明专利]制造半导体器件的连接插塞的方法无效
| 申请号： | 200710160634.3 | 申请日： | 2007-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101286474A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 金辰寿 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾红霞;张天舒 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 连接 方法 | ||
1.一种制造半导体器件的连接插塞的方法，所述方法包括：
在半导体基板上形成层间绝缘膜；
通过使用第一连接插塞触头掩模和第二连接插塞触头掩模的光刻工序蚀刻所述层间绝缘膜，以便于分开形成用于存储节点的连接插塞触头孔和用于位线的连接插塞触头孔；以及
填充所述用于存储节点的连接插塞触头孔和所述用于位线的连接插塞触头孔，以形成连接插塞。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，
所述第一连接插塞触头掩模和所述第二连接插塞触头掩模分别为孔型掩模。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，
所述第一连接插塞触头掩模和所述第二连接插塞触头掩模彼此不同。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，
形成所述层间绝缘膜的步骤包括：
在所述半导体基板上形成字线图案，所述半导体基板包括隔离膜；
在所述字线图案和所述半导体基板上形成所述层间绝缘膜；以及
使所述层间绝缘膜平坦化，以露出所述字线图案。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，
所述光刻工序还包括按任何顺序执行的下述步骤：
采用用于存储节点的连接插塞触头掩模利用第一光刻工序蚀刻所述层间绝缘膜，以形成所述用于存储节点的连接插塞触头孔；以及
采用用于位线的连接插塞触头掩模利用第二光刻工序蚀刻所述层间绝缘膜，以形成所述用于位线的连接插塞触头孔。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，
所述光刻工序还包括：首先形成所述用于存储节点的连接插塞触头孔，然后形成所述用于位线的连接插塞触头孔。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，
所述光刻工序还包括：首先形成所述用于位线的连接插塞触头孔，然后形成所述用于存储节点的连接插塞触头孔。
8.根据权利要求5所述的方法，其中，
所述用于存储节点的连接插塞触头掩模为孔型掩模。
9.根据权利要求5所述的方法，其中，
所述用于位线的连接插塞触头掩模为孔型掩模。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司，未经海力士半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710160634.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：无线电发射系统、发射机以及无线电发射方法
- 下一篇：一种发动机换档机构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
