[发明专利]显示基板、显示器件及其制造方法有效
申请号: | 200710160688.X | 申请日: | 2007-12-29 |
公开(公告)号: | CN101241915A | 公开(公告)日: | 2008-08-13 |
发明(设计)人: | 朴容仁;白承汉;金相寿 | 申请(专利权)人: | LG.菲利浦LCD株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;梁挥 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 器件 及其 制造 方法 | ||
1、一种柔性显示基板,包含:
在所述柔性基板上的薄膜晶体管,所述薄膜晶体包括栅极、绝缘所述栅极的栅绝缘层、在所述栅绝缘层上的沟道层、与所述沟道层连接的源极,和与所述沟道层连接的漏极。
位于所述薄膜晶体管下面的第一应力吸收层;
位于所述第一应力吸收层上的第一保护层;
位于所述薄膜晶体管上的第二应力吸收层;
位于所述第二应力吸收层上的第二保护层;以及
位于所述第二保护层上的像素电极,所述像素电极与所述漏极连接。
2、根据权利要求1所述的柔性显示器件,其特征在于,进一步包含在所述第二应力吸收层和所述薄膜晶体管之间的第三保护层。
3、根据权利要求2所述的柔性显示器件,其特征在于,
其中所述第一应力吸收层包括有机层;
其中所述第一保护层包括无极层;
其中所述第二应力吸收层包括有机层;
其中所述第二保护层包括无机层;以及
其中所述第三保护层包括无机层。
4、根据权利要求1所述的柔性显示器件,其特征在于,进一步包含在所述像素电极上的第三应力吸收层。
5、根据权利要求4所述的柔性显示器件,其特征在于,所述第三应力吸收层包括有机层。
6、一种制造柔性显示基板的方法,其特征在于,包含:
在所述柔性基板上形成第一应力吸收层;
在所述第一应力吸收层上形成第一保护层;
在所述第一保护层上薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅极、绝缘所述栅极的栅绝缘层、在所述栅绝缘层上的沟道层、与所述沟道层连接的源极和与所述沟道层连接的漏极;
在所述薄膜晶体管上形成第二应力吸收层;
在所述第二应力吸收层上形成第二保护层;以及
在所述第二保护层上形成像素电极,所述像素电极与所述漏极连接。
7、根据权利要求6所述的方法,其特征在于,进一步包含在所述第二应力吸收层和所述薄膜晶体管之间形成第三保护层。
8、根据权利要求7所述的方法,其特征在于,
其中所述第一应力吸收层包括有机层;
其中所述第一保护层包括无机层;
其中所述第二应力吸收层包括有机层;
其中所述第二保护层包括无机层;以及
其中所述第三保护层包括无机层。
9、根据权利要求6所述的方法,其特征在于,进一步包含在所述像素电极上的第三应力吸收层。
10、根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述第三应力吸收层包括有机层。
11、一种制造电泳墨柔性显示器件的方法,包含:
在柔性基板上形成第一应力吸收层;
在所述第一应力吸收层上形成第一保护层;
在所述第一保护层上形成薄膜晶体管,该薄膜晶体管包括栅极、绝缘所述栅极的栅绝缘层、在所述栅绝缘层上的沟道层、与所述沟道层连接的源极,以及与所述沟道层连接的漏极;
在所述薄膜晶体管上形成第二应力吸收层;
在所述第二应力吸收层上形成第二保护层;
在所述第二保护层上形成像素电极,该像素电极与所述漏极连接;以及
在所述柔性基板上形成电泳墨薄膜。
12、根据权利要求11所述的方法,其特征在于,进一步包含在所述第二应力吸收层和所述薄膜晶体管之间形成第三保护层。
13、根据权利要求12所述的方法,其特征在于,
其中所述第一应力吸收层包括有机层;
其中所述第一保护层包括无机层;
其中所述第二应力吸收层包括有机层;
其中所述第二保护层包括无机层;以及
其中所述第三保护层包括无机层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的