[发明专利]存储器读取电路与方法

权利要求书

1.一种存储器读取电路，其用以读取一具有2N种阻抗状态的存储器电路，所述存储器读取电路包括：

一待测信号产生电路，检测所述存储器电路的阻抗状态，以产生一待测信号；

一参考信号产生电路，检测一具有2^N-1个阻抗路径的参考电路的阻抗状态，以分别产生2^N-1个参考信号；

一中间值信号产生电路，接收所述2^N-1个参考信号，以产生(2^N-1)-1个中间值信号；以及

一比较电路，用以比较所述待测信号与所述(2^N-1)-1个中间值信号。

2.如权利要求1所述的存储器读取电路，其中所述存储器电路与所述参考电路接收一电压以分别产生该待测信号与2^N-1个参考信号。

3.如权利要求2所述的存储器读取电路，其中所述待测信号为一待测电流或一待测电压，而所述参考信号为一参考电流或一参考电压。

4.如权利要求3所述的存储器读取电路，其中所述中间值信号产生电路系将所接收的2^N-1个参考电流运算处理，以产生(2^N-1)-1个中间值电流。

5.如权利要求3所述的存储器读取电路，其中所述中间值信号产生电路系将所接收的2^N-1个参考电流运算处理，以产生(2^N-1)-1个中间值电压。

6.如权利要求5所述的存储器读取电路，其中所述任一中间值电压为介于任二参考电压间的电压。

7.如权利要求4所述的存储器读取电路，其中所述待测电流与2^N-1个参考电流分别流经负载以分别产生一待测电压与2^N-1个参考电压，而所述(2^N-1)-1个中间值电流流经负载以产生(2^N-1)-1个中间值电压。

8.如权利要求5所述的存储器读取电路，其中所述比较电路将所述待测电压分别与所述参考电压与中间值电压比较，以产生比较结果。

9.如权利要求1所述的存储器读取电路，其中所述比较电路进一步包括一译码器，用以将所述比较器的结果转换为一数值，用以代表所述2^N个阻抗状态之一。

10.如权利要求1所述的存储器读取电路，其中所述参考信号产生电路根据所述参考电路的阻抗路径产生对应的参考电流，而所述中间值信号产生电路接收所述参考电流以产生所述中间值信号。

11.如权利要求1所述的存储器读取电路，其中所述比较电路根据所述待测信号与所述中间值信号的比较结果，再决定所述待测信号与其中的一参考信号进一步进行比较的结果。

12.一种存储器读取方法，该方法用以读取一具有2^N种阻抗状态的存储器电路，所述存储器读取方法包括：

检测所述存储器电路的阻抗状态，以产生一待测信号；

检测一具有2^N-1个阻抗路径的参考电路的阻抗状态，以分别产生2^N-1个参考信号；

接收所述参考信号，以产生(2^N-1)-1个中间值信号；以及

比较所述待测信号与所述(2^N-1)-1个中间值信号。

13.如权利要求12所述的存储器读取方法，其中所述存储器电路与所述参考电路接收一电压以分别产生该待测信号与2^N-1个参考信号，且所述待测信号为一待测电流或一待测电压，而所述参考信号为一参考电流或一参考电压。

14.如权利要求13所述的存储器读取方法，其中所述中间值信号产生电路将所接收的2^N-1个参考电流运算处理，以产生(2^N-1)-1个中间值电流。

15.如权利要求13所述的存储器读取方法，其中所述中间值信号产生电路将所接收的2^N-1个参考电流运算处理，以产生(2^N-1)-1个中间值电压，且所述任一中间值电压为介于任二参考电压间的电压。