[发明专利]半导体器件及电子设备

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

光电转换元件；

电连接到所述光电转换元件的电路；

电连接到所述光电转换元件的第一端子；

电连接到所述电路的第二端子；以及

与所述第一端子以及所述第二端子邻接的导电膜，

其中，所述导电膜不电连接到所述光电转换元件也不电连接到所述电路，

并且，所述导电膜的上表面的面积大于所述第一端子的上表面的面积，

并且，所述导电膜的上表面的面积大于所述第二端子的上表面的面积。

2.一种半导体器件，包括：

光电转换元件；

电连接到所述光电转换元件的电路；

电连接到所述光电转换元件的第一端子；

电连接到所述电路的第二端子；

与所述第一端子以及所述第二端子邻接，且不电连接到所述光电转换元件以及所述电路的导电膜；以及

覆盖所述光电转换元件以及所述电路的绝缘膜，

其中，所述第一端子、所述第二端子、以及所述导电膜形成在所述绝缘膜上，

并且，所述导电膜的上表面的面积大于所述第一端子的上表面的面积，

并且，所述导电膜的上表面的面积大于所述第二端子的上表面的面积。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述光电转换元件具有光电转换层，

并且，所述导电膜为反射光的膜，且重叠于所述光电转换层。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中，所述光电转换元件具有光电转换层，

并且，所述导电膜为反射光的膜，且重叠于所述光电转换层。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述光电转换元件具有光电转换层，

并且，所述导电膜为反射光的膜，且不重叠于所述光电转换层。

6.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中，所述光电转换元件具有光电转换层，

并且，所述导电膜为反射光的膜，且不重叠于所述光电转换层。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述导电膜的上表面的面积比所述第一端子以及所述第二端子中大的一方的上表面的面积大至少两倍。

8.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中，所述导电膜的上表面的面积比所述第一端子以及所述第二端子中大的一方的上表面的面积大至少两倍。

9.一种半导体器件，包括：

在衬底上的薄膜晶体管和布线；

在所述薄膜晶体管和所述布线上的第一绝缘膜；

在所述第一绝缘膜上并在所述薄膜晶体管上方的光电转换元件；

在所述第一绝缘膜和所述光电转换元件上的第二绝缘膜；

在所述第二绝缘膜和所述薄膜晶体管上的导电膜；

在所述第二绝缘膜中且在所述光电转换元件上形成的第一接触孔中形成的第一端子；以及

在所述第二绝缘膜中且在所述布线上形成的第二接触孔中形成的第二端子，

其中，所述薄膜晶体管电连接到所述光电转换元件，

并且，所述第一端子电连接到所述光电转换元件，

并且，所述第二端子电连接到所述薄膜晶体管，

并且，所述导电膜不电连接到所述光电转换元件也不电连接到所述薄膜晶体管，

并且，所述导电膜的上表面的面积大于所述第一端子的上表面的面积，

并且，所述导电膜的上表面的面积大于所述第二端子的上表面的面积。

10.一种半导体器件，包括：

光电转换元件；

电连接到所述光电转换元件的电路；

电连接到所述光电转换元件的第一端子；

电连接到所述电路的第二端子；

与所述第一端子以及所述第二端子邻接的第一导电膜；

在所述第一导电膜上的绝缘层；以及

在所述绝缘层上的第二导电膜，

其中，所述第一导电膜以及所述第二导电膜不电连接到所述光电转换元件也不电连接到所述电路，

并且，所述第二导电膜的上表面的面积大于所述第一端子的上表面的面积，

并且，所述第二导电膜的上表面的面积大于所述第二端子的上表面的面积。