[发明专利]提高散热性的绝缘体上硅器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710160955.3 | 申请日： | 2002-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN101188216A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | J·A·达马万 | 申请（专利权）人： | 克里微波有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/36 | 分类号： | H01L23/36;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 赵辛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 散热 绝缘体 器件 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件，包括：
a)半导体本体，包括支撑衬底的硅、被衬底支撑的氧化硅层以及覆盖氧化硅层的硅层，
b)在覆盖通过刻蚀已除去的部分衬底的硅层中形成的半导体元件，以及
c)通过刻蚀除去的部分衬底中的金属层，金属层提供从元件散热，其中覆盖部分衬底的氧化硅层被除去，金属层毗邻硅层，金属层包括难熔金属，金属层还包括难熔金属上的金、铝或铜。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其中难熔金属是钨化钛或氮化钛。
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