[发明专利]一种镀膜材料及其制备方法有效
申请号: | 200710161056.5 | 申请日: | 2007-12-24 |
公开(公告)号: | CN101468538A | 公开(公告)日: | 2009-07-01 |
发明(设计)人: | 郭丽芬;张旺;宫清 | 申请(专利权)人: | 比亚迪股份有限公司 |
主分类号: | B32B33/00 | 分类号: | B32B33/00;B32B9/00;C23C14/35;C23C14/06 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘红梅;王凤桐 |
地址: | 518119广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 镀膜 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种由磁控溅射离子镀形成的镀膜材料,该材料包括基材和镀覆在 所述基材上的膜层,其特征在于,所述膜层为依次镀覆在所述基材上的钛锆 膜层和钛锆碳氮化合物膜层。
2.根据权利要求1所述的镀膜材料,其中,所述钛锆膜层的厚度为 10-50nm,所述钛锆碳氮化合物膜层的厚度为100-1000nm。
3.根据权利要求1所述的镀膜材料,其中,所述基材为不锈钢、钛、 铬、铝、镁、锌、钛合金、铝合金、镁合金或玻璃。
4.一种权利要求1所述的镀膜材料的制备方法,其特征在于,该方法 包括依次在形成钛锆膜层的磁控溅射条件下和形成钛锆碳氮化合物膜层的 磁控溅射条件下,在磁控靶上施加电源使磁控靶上的靶材物质溅射并沉积在 所述基材上,以形成依次镀覆在所述基材上的钛锆膜层和钛锆碳氮化合物膜 层,所述靶材为钛锆镶嵌靶。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,所述钛锆镶嵌靶的结构为,在 钛金属靶上设置有多个小孔,每个小孔内镶嵌有锆丝,所述钛与锆的质量比 为2.0-6.0。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述小孔的个数为6-14个,并 且均匀对称设置,每个小孔的直径为2.5-3.5mm。
7.根据权利要求4所述的方法,其中,所述形成钛锆膜层的磁控溅射 条件使所述钛锆膜层的厚度为10-50nm,所述形成钛锆碳氮化合物膜层的磁 控溅射条件使所述钛锆碳氮化合物膜层的厚度为100-1000nm。
8.根据权利要求4或7所述的方法,其中,所述形成钛锆膜层的磁控 溅射条件包括,电源的功率为1-50千瓦范围,磁控溅射的真空度为0.1-1.5 帕,溅射时间为3-15分钟,工作气体为惰性气体,偏压为50-500伏,占空 比为15-90%。
9.根据权利要求4或7所述的方法,其中,形成所述钛锆碳氮化合物 膜层的磁控溅射条件包括,电源的功率为1-50千瓦范围内的恒功率,磁控 溅射的真空度为0.01-2帕,溅射时间为10-60分钟,磁控溅射的气氛为惰性 气体气氛,反应气体为氮气和乙炔的混合气体或氮气和甲烷的混合气体,所 述反应气体的流量为递增的,氮气的初始流量为1-50标准毫升/分钟、最终 流量为10-100标准毫升/分钟,乙炔或甲烷的初始流量为1-20标准毫升/分钟、 最终流量为5-65标准毫升/分钟,偏压为50-500伏,占空比为15-90%。
10.根据权利要求4所述的方法,其中,该方法还包括,在基材上形成 膜层之前,对基材进行多弧活化,所述多弧活化的方法包括,在多弧活化的 条件下,用多弧靶上的靶材物质轰击所述基材,所述多弧靶为钛靶、铬靶和 不锈钢靶中的一种或几种。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,所述多弧活化的条件包括,多 弧活化的气氛为惰性气体气氛,真空度为0.1-0.3帕,多弧源电流为100-300 安培,偏压为300-600伏,占空比为20-70%,时间为1-5分钟。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,所述多弧活化的条件包括,多 弧活化的气氛为惰性气体气氛,真空度为0.15-0.25帕,多弧源电流为180-220 安培,偏压为400-500伏,占空比为35-55%,时间为2-3分钟。
13.根据权利要求4或10所述的方法,其中,所述基材为不锈钢、钛、 铬、铝、镁、锌、钛合金、铝合金、镁合金或玻璃。
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