[发明专利]像素结构与液晶显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及一种液晶显示面板，且特别涉及一种有源元件阵列基板。

背景技术

目前市场对于薄膜晶体管液晶显示器(thin film transistor liquid crystaldisplay，TFT-LCD)的性能要求是朝向高对比(high contrast ratio)、无灰阶反转(no gray scale inversion)、色偏小(little color shift)、亮度高(highluminance)、高色彩丰富度、高色饱和度、快速反应与广视角等方向发展。目前能够达成广视角要求的技术有扭转向列型液晶(TN)加上广视角膜(wideviewing film)、共平面切换式(in-plane switching，IPS)液晶显示器、边际场切换式(fringe field switching，FFS)液晶显示器与多域垂直配向式(multi-domain vertically alignment，MVA)薄膜晶体管液晶显示器等方式。以多域垂直配向式液晶显示器为例，由于形成于彩色滤光基板或薄膜晶体管阵列基板上的配向凸起物(alignment protrusion)或狭缝(slit)可以使得液晶分子呈多方向排列，而得到多个不同配向领域(domains)，因此多域垂直配向式液晶显示器能够达成广视角的要求。

图1为所示公知多域垂直配向式液晶显示器的正规化穿透率(normalizedtransmittance)与灰阶(gray level)的关系图。请参考图1，横坐标为灰阶，而纵坐标为正规化穿透率。由图1可知，虽然公知多域垂直配向式液晶显示器能够达成广视角的要求，然而随着观察的视角改变，穿透率对灰阶的曲线(transmittance-level curve)具有不同的曲率。换而言之，当观察的视角改变时，公知多域垂直配向式液晶显示器所显示出的亮度会产生变化，进而导致色偏(color shift)或色饱和度不足(color washout)等问题。

为了解决色偏的问题，已有多种公知技术相继被提出，其中一种方法是在单一像素内多形成一个电容。利用电容耦合的方式使单一像素内的不同像素电极分别产生不同大小的电场，进而让不同像素电极上方的液晶分子有不同的排列。虽然此种方式可以改善色偏现象，但是为了稳定电容耦合所产生的数据电压，通常会增加一晶体管配置于电容所对应的像素电极上，但此增加的晶体管将造成开口率下降的缺点。

另一种方法是在各个像素内增加一个晶体管。也就是说，单一像素中会有两个晶体管。通过不同的晶体管使得在单一像素中的两个像素电极产生不同的电场，进而让不同像素电极上方的液晶分子有不同的排列，以达到改善色偏的目的。然而，由于此种作法需要在单一像素内形成两个晶体管，因此也将造成开口率的损失。

将上述技术应用于中小尺寸液晶显示器上时，公知技术虽然可以改善中小尺寸液晶显示器的色偏问题，但由于公知技术的像素设计损失过多的开口率，导致中小尺寸液晶显示器的色偏问题虽然获得改善，但另一方面却又衍生出亮度不足的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种像素结构以及液晶显示面板，在维持一定程度的开口率前提下，改善色偏现象。

为具体描述本发明的内容，本发明提供一种像素结构，此像素结构配置于一基板上，像素结构与两条扫描线以及一条数据线电性连接。该像素结构包括反射电极、第一透明电极、第二透明电极与半导体层。第一透明电极与第一反射电极电性连接，而与第二透明电极电性绝缘。半导体层具有两个第一导电区、一第二导电区以及两个第一沟道区，第一导电区分别与反射电极以及第二透明电极电性连接，第二导电区位于第一导电区之间并与数据线电性连接，而部分与扫描线重叠的半导体层定义为第一沟道区，且各第一沟道区分别连接于第二导电区与各第一导电区之间。