[发明专利]图像传感器及其制造方法无效
申请号: | 200710161232.5 | 申请日: | 2007-09-25 |
公开(公告)号: | CN101211936A | 公开(公告)日: | 2008-07-02 |
发明(设计)人: | 尹盈提;朴珍皞 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/82 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郑小军 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种图像传感器,包括:
微透镜阵列,形成于衬底上,并包括第一组微透镜和第二组微透镜;
其中所述第一组微透镜和所述第二组微透镜排列成西洋棋盘图案。
2.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述第一组微透镜包含亲水材料,而所述第二组微透镜包含疏水材料。
3.如权利要求2所述的图像传感器,其中用于形成所述第一组微透镜的一部分所述亲水材料保留在位于所述第一和第二组微透镜下方的所述衬底上。
4.如权利要求1所述的传感器,还包括:
亲水材料层,包括设置在所述衬底上形成的西洋棋盘图案中的沟槽;
其中所述第一组微透镜形成于所述亲水材料层的所述沟槽中,而所述第二组微透镜形成于所述亲水材料层的顶部表面上。
5.如权利要求4所述的图像传感器,其中所述第一组微透镜和所述第二组微透镜都包含疏水材料。
6.如权利要求1所述的图像传感器,还包括:
亲水材料层,形成于所述衬底上;和
图案化的疏水材料层,形成于所述亲水材料层上,呈西洋棋盘状排列;
其中所述第一组微透镜形成于所述亲水材料层上,而所述第二组微透镜形成于所述图案化的疏水材料层上。
7.如权利要求6所述的图像传感器,其中所述第一组微透镜和所述第二组微透镜都包含疏水材料。
8.一种制造图像传感器的方法,包括以下步骤:
在衬底上形成微透镜阵列,该微透镜阵列包括第一组微透镜和第二组微透镜;
其中所述第一组微透镜和所述第二组微透镜排列成西洋棋盘图案。
9.如权利要求8所述的方法,其中形成所述微透镜阵列的步骤包括:
在所述衬底上形成平坦化层;
在所述平坦化层上形成图案化的第一光敏膜,所述图案化的第一光敏膜呈西洋棋盘状排列;
通过对所述图案化的第一光敏膜进行热处理,在所述平坦化层上形成牺牲微透镜;
通过使用所述牺牲微透镜蚀刻所述平坦化层形成所述第一组微透镜;
在所述第一组微透镜的相邻微透镜之间的空间内形成图案化的第二光敏膜;和
通过对所述图案化的第二光敏膜进行热处理,形成所述第二组微透镜。
10.如权利要求9所述的方法,其中所述平坦化层包含能够通过干法蚀刻来蚀刻的亲水材料。
11.如权利要求10所述的方法,其中所述平坦化层包括低温氧化物。
12.如权利要求9所述的方法,其中所述第一和第二光敏膜包含疏水材料。
13.如权利要求8所述的方法,还包括以下步骤:
在所述衬底上形成平坦化层;和
图案化所述平坦化层,以形成设置在西洋棋盘图案中的沟槽,
其中形成所述微透镜阵列的步骤包括:
在所述平坦化层的所述沟槽中形成所述第一组微透镜,并在所述平坦化层的顶部表面上形成所述第二组微透镜。
14.如权利要求13所述的方法,其中所述平坦化层包含亲水材料,且所述第一和第二组微透镜包含疏水材料。
15.如权利要求13所述的方法,其中形成所述第一组微透镜和所述第二组微透镜的步骤包括:
在所述平坦化层的所述沟槽上沉积并图案化第一光敏膜;
在所述平坦化层的顶部表面上沉积并图案化第二光敏膜;和
对第一和第二图案化的光敏膜进行回流工艺。
16.如权利要求8所述的方法,还包括以下步骤:
在所述衬底上形成亲水材料层;和
在所述亲水材料层上形成图案化的疏水材料层,该图案化的疏水材料层呈西洋棋盘状排列;
其中形成所述微透镜阵列的步骤包括:
在暴露出的所述亲水材料层上形成所述第一组微透镜;和
在所述图案化的疏水材料层上形成所述第二组微透镜。
17.如权利要求16所述的方法,其中所述第一组微透镜和所述第二组微透镜都包含疏水材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的