[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具有：

半导体元件；

设于上述半导体元件的区域内，用于与外部连接的外部电极；

通过连接部分连接到上述外部电极上并使上述半导体元件与上述外部电极电连接的布线；以及

设于上述半导体元件上的应力缓和部分，

上述布线在平面方向上屈曲，在对于上述应力的发生方向大体上成直角的方向上，从上述外部电极引出。

2.一种半导体装置，具有：

半导体元件；

设于上述半导体元件的区域内，用于与外部连接的外部电极；

通过连接部分连接到上述外部电极上并使上述半导体元件与上述外部电极电连接的布线；

设于上述半导体元件上的应力缓和部分；以及

从上述外部电极对上述应力缓和部分传递应力的应力传递部分，

上述布线在平面方向上屈曲而设于上述应力缓和部分之下，

上述连接部分设置为贯通上述应力缓和部分，

在上述应力缓和部分上，在上述布线上进行接触的部位与在上述应力传递部分下进行接触的部位之间形成空间。

3.权利要求2所述的半导体装置，其特征是：

上述应力缓和部分形成为，在以从上述布线开始到上述应力传递部分为止的厚度形成的应力缓和部分中刻蚀掉从上述应力传递部分的外侧开始到下方为止的部分而形成的形状。

4.一种半导体装置，具有：

半导体元件；

设于上述半导体元件的区域内，用于与外部连接的外部电极；

通过连接部分连接到上述外部电极上并使上述半导体元件与上述外部电极电连接的布线；

设于上述半导体元件上的应力缓和部分；以及

从上述外部电极对上述应力缓和部分传递应力的应力传递部分，

上述应力缓和部分具有第1应力缓和层和形成于该第1应力缓和层上的第2应力缓和层；

上述布线在平面方向上屈曲而设于上述第1和第2应力缓和层之间；

上述连接部分，设置为贯通上述第2应力缓和层；以及

上述应力传递部分具有：在上述第1和第2应力缓和层之间一体性形成于上述连接部分上的第1传递部分和在上述第2应力缓和层上一体性地形成于上述连接部分上的第2传递部分。

5.权利要求4所述的半导体装置，其特征是：

上述第2传递部分以比上述第1传递部分还大的面积向上述第2应力缓和层传递上述应力。

6.一种半导体装置，具有：

半导体元件；

设于上述半导体元件的区域内，用于与外部连接的外部电极；

通过连接部分连接到上述外部电极上并使上述半导体元件与上述外部电极电连接的布线；

设于上述半导体元件上的应力缓和部分；以及

从上述外部电极对上述应力缓和部分传递应力的应力传递部分，

上述布线在平面方向上屈曲，

上述应力传递部分被设置为对上述连接部分呈非接触状态。

7.权利要求6所述的半导体装置，其特征是：

上述应力缓和部分还具有隔离部分，用于阻止应力在支持上述应力传递部分的支持区域和形成上述连接部分的连接区域之间传递。

8.权利要求7所述的半导体装置。其特征是：

上述隔离部分是沟。

9.一种半导体装置，具有：

半导体元件；

设于上述半导体元件的区域内，用于与外部连接的外部电极；

通过连接部分连接到上述外部电极上并使上述半导体元件与上述外部电极电连接的布线；以及

设于上述半导体元件上的应力缓和部分，

上述布线在平面方向上屈曲而具有与上述半导体元件之间形成中空空间的弯曲部分。

10.权利要求9所述的半导体装置，其特征是：

其构成为向上述中空空间注入凝胶材料。

11.一种半导体装置，具有：

半导体元件；

设于上述半导体元件的区域内，用于与外部连接的外部电极；

通过连接部分连接到上述外部电极上并使上述半导体元件与上述外部电极电连接的布线；

设于上述半导体元件上的应力缓和部分；以及

从上述外部电极对上述应力缓和部分传递应力的应力传递部分，

上述布线在平面方向上屈曲，

上述应力缓和部分具有第1应力缓和层和形成于该第1应力缓和层之上的第2应力缓和层，

上述布线具有形成于上述第1应力缓和层之下的第1布线部分和形成于上述第1与第2应力缓和层之间的第2布线部分，

上述连接部分具有贯通上述第1应力缓和层且连接上述第1和第2布线部分的第1布线连接部分，和贯通上述第2应力缓和层把上述外部电极与上述第2布线部分连接起来的第2布线连接部分，上述第1和第2布线连接部分设于平面偏离开来的位置上，

上述应力传递部分具有：在上述第1和第2应力缓和层之间一体性地形成于上述第1布线连接部分上的第1传递部分，和在上述第2应力缓和层之上一体性地形成于上述第2布线连接部分上的第2传递部分。